[交流] 【求助】急！光探测器的内量子效率和外量子效率如何定义和区分

Originally posted by yehongqueqiu at 2009-4-25 17:35:
多谢arisun8818的解释，我已经差不多想明白了，。

是不是这样理解：
外量子效率：η=(I/q)/(P/hv)。但是由于光能量在半导体界面的散射和吸收衰减使得真正起作用的是是P`=p(1-R)[1-exp(-αd)]，用P`代替外量 ...

Originally posted by yehongqueqiu at 2009-4-25 15:30:
最近在写文章，写到量子效率的时候，发现越来越蒙。不图的资料对量子效率定义不一样。最基本的定义为单位光子数所产生的对光电流有贡献的电子-空穴对数，即η=(I/q)/(P/hv)。这个是内量子效率还是外量子效率？有的 ...

Originally posted by yehongqueqiu at 2009-4-25 16:25:
外电路增益我不是很了解，我是做元件的。光电导增益也是很常见，它是半导体的内部增益，一般由载流子寿命大于它在光探测器电极间的迁移时间所导致。
    而第二种您说的正确，它是我们做吸收光谱常用的公式。如果 ...