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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 关于硅（100）面各向异性刻蚀的几个细节问题
北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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jcx70100

铁虫 (初入文坛)

[求助] 关于硅（100）面各向异性刻蚀的几个细节问题 已有2人参与

现在想在硅（100）面上刻蚀，由上往下将硅片刻通，从截面看形成梯形的槽，有几个细节的问题想请教一下相关专家：

1. 购买的硅片很难保证其晶面就是（100）面，如果稍有偏差，那么在刻蚀过程中该怎么处理，有什么需要注意的地方？
2. 现在的要求是从上往下刻蚀，最后在下表面刻蚀出1um左右的窗口，请问可否达到这个精度。
3. 我们也考虑过从两个面一起刻蚀，即下表面开1um左右的窗口，上表面开相应的大窗口，两个面同时刻蚀，最后在中间对接，请问双面刻蚀的时候如何解决上下对准的问题，否则很难保证上下两个面的刻蚀在中间打通；另外，从下表面往上的刻蚀如何保证是倒梯形的刻蚀，而不是刻蚀槽越来越小，最后变成倒三角的槽。@yswyx
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1楼 2018-10-29 11:23:01
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MEMSlee

捐助贵宾 (著名写手)
你这个光刻怎么做?

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2楼2018-10-29 23:04:27
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jcx70100

铁虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by MEMSlee at 2018-10-29 23:04:27
你这个光刻怎么做?

其实就是常规的在硅100面刻蚀锥形凹陷，最后讲硅片刻通，底下较小的洞口大约1um，刻的话打算先长一层SiO2，通过光刻刻出一个正方形窗口，从窗口进行刻蚀。现在问题是如果买的硅片不是严格的100面该怎么处理

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3楼2018-10-30 00:40:08
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king.jin

新虫 (小有名气)
我们遇到过这个案子，有机会一起交流探讨微jin861015

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4楼2018-11-05 20:49:49
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洒墨写年华

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

楼主，我最近看过一篇文章，是讲的各向异性化学腐蚀法制备纳米孔，文章用的膜是聚酰亚胺膜，次氯酸钠为腐蚀剂，终止剂是KI，我理解的是使用2.2GeV动能的单个快速重离子辐照，还有偏置电压，使膜两面的正负离子产生变化，制得的纳米孔。
我是刚开始研究这个，不知道理解的对不对？希望能大家讨论下。
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5楼2018-11-06 09:24:31
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guoxingnann

新虫 (小有名气)
引用回帖:
5楼: Originally posted by 洒墨写年华 at 2018-11-06 09:24:31
楼主，我最近看过一篇文章，是讲的各向异性化学腐蚀法制备纳米孔，文章用的膜是聚酰亚胺膜，次氯酸钠为腐蚀剂，终止剂是KI，我理解的是使用2.2GeV动能的单个快速重离子辐照，还有偏置电压，使膜两面的正负离子产生变 ...

这在硅面碱刻蚀也通用吧
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6楼2018-11-26 11:48:07
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gyxzby

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

那你得用薄一点的双抛晶圆啦，按照你的想法，假如晶圆厚度500um的话，你的光刻图形单边长就得710um的正方形图形，别用SiO2掩膜了，用氮化硅吧，刻蚀速率小一些；希望你能成功，虽然我觉得不如干刻方便一些
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7楼2018-11-30 14:10:04
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