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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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jcx70100

铁虫 (初入文坛)

[求助] 关于硅(100)面各向异性刻蚀的几个细节问题 已有2人参与

现在想在硅(100)面上刻蚀,由上往下将硅片刻通,从截面看形成梯形的槽,有几个细节的问题想请教一下相关专家:

1. 购买的硅片很难保证其晶面就是(100)面,如果稍有偏差,那么在刻蚀过程中该怎么处理,有什么需要注意的地方?
2. 现在的要求是从上往下刻蚀,最后在下表面刻蚀出1um左右的窗口,请问可否达到这个精度。
3. 我们也考虑过从两个面一起刻蚀,即下表面开1um左右的窗口,上表面开相应的大窗口,两个面同时刻蚀,最后在中间对接,请问双面刻蚀的时候如何解决上下对准的问题,否则很难保证上下两个面的刻蚀在中间打通;另外,从下表面往上的刻蚀如何保证是倒梯形的刻蚀,而不是刻蚀槽越来越小,最后变成倒三角的槽。@yswyx
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MEMSlee

捐助贵宾 (著名写手)


2楼2018-10-29 23:04:27
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jcx70100

铁虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by MEMSlee at 2018-10-29 23:04:27
你这个光刻怎么做?

其实就是常规的在硅100面刻蚀锥形凹陷,最后讲硅片刻通,底下较小的洞口大约1um,刻的话打算先长一层SiO2,通过光刻刻出一个正方形窗口,从窗口进行刻蚀。现在问题是如果买的硅片不是严格的100面该怎么处理

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3楼2018-10-30 00:40:08
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king.jin

新虫 (小有名气)

我们遇到过这个案子,有机会一起交流探讨微jin861015

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4楼2018-11-05 20:49:49
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洒墨写年华

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

楼主,我最近看过一篇文章,是讲的各向异性化学腐蚀法制备纳米孔,文章用的膜是聚酰亚胺膜,次氯酸钠为腐蚀剂,终止剂是KI,我理解的是使用2.2GeV动能的单个快速重离子辐照,还有偏置电压,使膜两面的正负离子产生变化,制得的纳米孔。
我是刚开始研究这个,不知道理解的对不对?希望能大家讨论下。
5楼2018-11-06 09:24:31
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guoxingnann

新虫 (小有名气)

引用回帖:
5楼: Originally posted by 洒墨写年华 at 2018-11-06 09:24:31
楼主,我最近看过一篇文章,是讲的各向异性化学腐蚀法制备纳米孔,文章用的膜是聚酰亚胺膜,次氯酸钠为腐蚀剂,终止剂是KI,我理解的是使用2.2GeV动能的单个快速重离子辐照,还有偏置电压,使膜两面的正负离子产生变 ...

这在硅面碱刻蚀也通用吧
6楼2018-11-26 11:48:07
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gyxzby

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

那你得用薄一点的双抛晶圆啦,按照你的想法,假如晶圆厚度500um的话,你的光刻图形单边长就得710um的正方形图形,别用SiO2掩膜了,用氮化硅吧,刻蚀速率小一些;希望你能成功,虽然我觉得不如干刻方便一些
7楼2018-11-30 14:10:04
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