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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 网络生活区 » 有奖问答 » 学术帮助 » ITO和FTO的区别。用来做阻变存储器的基底，对阻变特性有何影响？
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1534261001

金虫 (小有名气)

[求助] ITO和FTO的区别。用来做阻变存储器的基底，对阻变特性有何影响？

我是做阻变存储器的，我用ITO和FTO分别作为阻变存储器的底部电极，阻变层为CuO，顶电极为Cu和W，然后测试器件的阻变特性。发现FTO为底部电极时能测出双极型电阻特性，ITO却测不出来。问题是因为制备的原因还是ITO影响了器件的性能？求助求助
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1楼 2018-04-02 16:28:59
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lanyehuo

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

内容已删除
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2楼2018-04-09 14:26:21
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Silence_Beta

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

你这个问题问得太笼统，从你选用的上电极来看，Cu是活性电极，功函数不高，容易导致Cu离子为主的金属型导电细丝，而W活性则稍差一些，一般不会形成W细丝，而底电极不论是FTO还是ITO，都有可能由于制备工艺导致探针直接扎穿电极而导致测试稳定性差，此外，考虑到单极性导电细丝的机理有可能是较细的导电细丝导致的焦耳热Reset，CuO的XRD也应该被考虑。
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3楼2018-04-19 13:50:00
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