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PZT壓電陶瓷片測試位移(正反向測試)與電容衰退的相關問題 已有1人参与
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希望有高人解答，需要帮忙小弟也会尽力 目前做出PZT-Zn、PZT两种配方(略有不同)，性能部分介电常数约在5000/3000，D33:850/800，KP0.62 将其作成一般市售选针器尺寸(长条薄片) 介电常数高的配方没有特别问题，在测试介电常数低的片子时发生下列问题: 1. 测试前电容240nf，作动100H，衰退至190nf，是成分改变造成晶型影响还是有其他? 2.做悬臂梁位移测试，(正电)位移从原点->位移0.4mm->放电->回到0.2处之后上反向电，问题在于高介电常数的料有回到0.05mm处 两个料差异很大?不知道要怎解决，是配方问题还是机构上? 期待有高人指点，说明不清楚的我再补充 |
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guxue
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