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WPTZJU新虫 (小有名气)
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MSM结构光电探测器电流充放电 已有1人参与
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科研小白最近在宽禁带半导体上制作了金属半导体金属（MSM）叉状结构，电极间距20微米，电极金属Al,用keithley测试的时候发现会有类似电容充放电的效应，就是电流先一个脉冲上升然后缓慢下降到某一个值，电流10-10A量级，求问各位有经验的师兄师姐们这是什么原因导致的啊？有没有什么规避的办法？因为我要扫描0-10V的时候，采样会受到这个充放电的影响。这困扰了我一段时间了，身边这个方向只有我在做，求问一下前辈们的经验。PS:图1我的结构，还未加颗粒。图2 I-t图像  @神魔流转 @yswyx @dut_ameng 发自小木虫IOS客户端 |
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gg9075
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