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Angusskanal木虫 (小有名气)
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请问Ar plasma etching和At ion bombardment一样吗？ 已有1人参与
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文献上对于ZnO表面的处理， 有的文献用Ar plasma etching，参数为：功率80W，电压330V。 有的文献用Ar plasma treatment，参数为：射频功率60W。 有的文献用At ion bombardment， 参数为：能量5KeV。 而楼主我，用的仪器却叫Reactive ion etching，用的气体也是Ar，参数则为：功率50W。请问，我和他们用的一样吗？我现在在写文章，请问要把这四个短语叫成一个名称，即我们用的方法都一样？还是要把它们当作4种方法，即我们用的方法不一样，并且分析区别在哪？谢谢。 |
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qfw_68
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- 管辖: 有奖问答
【答案】应助回帖
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你们的相同点都是样品位置加了负偏压。可以确定的是RIE的样品位置接RF负极，产生射频负偏压，且RIE只使用一个RF电源。而其他的可与RIE相同，但也可能不相同，比如也可能使用两个RF源，一个用于产生氩等离子体，另一个用于产生样品负偏压，或者使用一个RF源产生氩等离子体，而样品位置接直流负偏压电源。具体得看设备细节的描述。 发自小木虫IOS客户端 |
2楼2017-11-11 06:51:11
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