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120101405

铁杆木虫 (正式写手)

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lisa-sun(金币+5,VIP+0):谢谢！链接打不开：（ 2-19 19:09

常压化学气相沉积法(APCVD) ：
所谓常压化学气相沉积法（APCVD，Atmospheric pressure CVD），就是在气压接近常压下进行CVD反应的一种沉积方式，此法的沉积速度极快，约为600-1000奈米/分。APCVD的操作压力接近一大气压，气压分子间的碰撞频率很高，同质成核的 "气相反应" 容易发生，易产生微粒。在工业界的应用上，APCVD的使用大都集中在对微粒的忍受能力较大的制程上，如保护层（passivation）。常压化学气相沉积设备，在VLSI的制程中，常用所谓的连续式系统来完成APCVD的工作，这种连续的APCVD，主要是由一条晶圆输送带及传送反应气体的 "喷气器" 所组成。输送带上的晶圆经马达的传送，缓缓地送入APCVD的反应室内，输送带下方的加热器被用来加热晶圆，化学气相沉积所需的气体，经由喷气器的喷嘴送往正下方的晶圆，CVD的沉积层便覆盖在晶圆表面，而达到化学气相沉积的目的。

这有2篇使用实例，可能对你有用，你可以看看
http://www.namipan.com/d/APCVD%e ... 8%86%9c%e7%9a%84%e7
http://www.namipan.com/d/%e5%b8% ... %e6%b2%89%e7%a7%af%

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谦逊求教才能更进一步

11楼2009-02-19 12:50:49

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cuiwhu

至尊木虫 (小有名气)

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5500 Series Atmospheric Pressure CVD Systems
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No. 180 Shengli Rd., Shahekou District
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12楼2009-02-19 15:02:07

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