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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 2H MoS2截断能和KPOINTS 测试
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悟空传说

新虫 (著名写手)
不用测试

发自小木虫Android客户端
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11楼2017-08-12 11:26:33
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gardenia_hui

铜虫 (小有名气)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
楼主，你好，我最近在学用MS对MoS2的能带结构进行仿真，遇到了如下问题，
1.单层MoS2的绝对价顶不在K点，比费米能级稍微低一点，所以不能算绝对意义的直接带隙半导体，计算带隙为1.65eV
2.体块MoS2的带隙为0.75eV左右，与文献中的1.2eV差距较大
我目前出现的仿真结果，麻烦你帮忙看看哪里出现了错了，主要是仿真设置方面的。另外我还有几个问题问问你

1.在Setup 界面，设置函数为GGA-PBE，Use TS/Grimme这一项是否勾选，听说这个代表，考虑范德华力，非单层MoS2分子就需要选择，是否这样，
2.Electric 界面中的 K Point set 一般都是怎么选择的，是gamma（1X1X1）还是Fine（5X5X1）
3.在Properties界面，勾选了density of  state，这时的 K Point set 又该怎么选择的

我看你的关于单层MoS2的帖子中，有下面这一句话
最近计算了单层MoS2的能带结构和态密度，一并贴出了供大家参考。截断能：650eV,KPOINTS:6x6x1(弛豫)，15x15x1(静态及态密度计算)
6x6x1(弛豫)，15x15x1(静态及态密度计算)分别指的什么
，
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12楼2017-12-08 20:27:56
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