| 查看: 1821 | 回复: 20 | ||
| 【奖励】 本帖被评价6次，作者mmsabina增加金币 6 个 | ||
| 当前主题已经存档。 | ||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | ||
[资源]
【专题介绍】 GaN 发光二极管技术及其应用
|
||
|
应版主Popsheng的早期邀请，让我来做个专题。由于事情太忙，姑且拖到春节期间， 先开个头， 将在近期完成有关的介绍。 纳米技术的开发，产业化是最终的目的，本介绍将是纳米技术在传统GaN－LED上的应用。给研究纳米技术的科研工作者一点启发，使你们的研究尽量靠近产业化，在传统的产业上，通过纳米化技术 ，给产品升级，注入高科技含量。 [ Last edited by gshsheng on 2009-6-20 at 12:53 ] |
回复此楼
7楼2009-01-23 10:59:41
2楼2009-01-20 14:08:36
★
memser(金币+1):继续 1-26 12:47
popsheng(金币+0,VIP+0):请回答16楼疑问 4-5 19:37
memser(金币+1):继续 1-26 12:47
popsheng(金币+0,VIP+0):请回答16楼疑问 4-5 19:37
|
一： 简单介绍 LED—— Lighting Emitting Diode 即发光二极管。它是利用固体半导体芯片作为发光材料，在半导体中通过载流子复合放出过剩的能量而引起光子发射，直接发出红、黄、蓝、绿、青、紫、白色的光，LED照明产品就是利用LED作为光源制造出来的照明器具。 美国、欧盟、日本等发达国家先后制订相关研究与发展计划，以期在该领域有所突破。我国也于2003年6月启动了“半导体照明工程。 目前，研究最多的是GaN LED，中国政府提倡的“ 节能，减排”的任务，为GaNLED的研究也注入动力。 用LED取代全部白炽灯或部分取代荧光灯，可节省1/3的照明用电，即节约1000亿度电，这相当于节约一个总投资超过2000亿元三峡工程全年的发电量。 二： GaN LED芯片结构 GaN生长通常采用MOCVD，生长设备价格贵，生长的基底有Si， SiC， Al2O3等，常用的是蓝宝石（Al2O3)。传统的GaN－LED发光强度取决于GaN生长质量。 [ Last edited by mmsabina on 2009-1-21 at 09:27 ] |
4楼2009-01-21 09:21:16
★
memser(金币+1):继续 1-26 12:47
memser(金币+1):继续 1-26 12:47
|
三： 传统的GaN－LED存在问题： 尽管GaN发光可以达到很高，90％以上，但是经过封装等后，发出的光不能提取出来，也就是外部量子效率非常低，3％左右。如何提高GaN出光效率变成产业界的棘手的问题。 四：解决办法 从设计的结构和P－GaN表面来改变，由于涉及到纳米技术，我就从来改变p－GaN表面结构来说明。 1。表面粗化技术：在p－GaN表面制作出粗造的表面，改变出光效率。 这种表面具有纳米结构。 美国加州大学学者采用聚苯乙烯球作为掩模版，刻蚀出粗造表面，也有采用SiO2等微球来刻蚀。 2.采用光子晶体结构： 被认为是提高出光效率的最好方法，关于在P-GaN上制作出光子晶体结构，方法很多，如电子束光刻和纳米压印技术。 [ Last edited by mmsabina on 2009-1-21 at 09:38 ] |
5楼2009-01-21 09:36:59
简单回复
harbin200110楼
2009-01-23 16:13
回复
58568513楼
2009-02-05 20:21
回复
支持