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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » 【讨论】dangling bond 与 gap states 讨论
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dead_soul

铜虫 (初入文坛)

[交流] 【讨论】dangling bond 与 gap states 讨论 已有1人参与

请问：
通常而言，悬挂键(Dangling bond)的存在，应产生与其对应的带隙态(gap states)。
但是，在大多数关于自由表面(free-standing surface)计算的文献中，并未发现带隙态的存在呀。
请问，与surface dangling bond 相联系的 gap states 的消失，是由什么原因产生的呢。
Thanks~

[ Last edited by wuchenwf on 2009-6-22 at 22:10 ]
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1楼 2009-01-08 17:23:22
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fswjch

新虫 (初入文坛)

我做的自由表面的数值模拟

★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
法向的公式谁能提供以下？？？
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8楼2011-03-07 17:16:13
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dead_soul

铜虫 (初入文坛)
★ ★
wuchenwf(金币+2,VIP+0):xiexie
我采用vasp计算化合物半导体的极性表面时，就没有发现与悬挂键对应的带隙态
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2楼2009-01-08 17:39:50
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xiaogai

金虫 (正式写手)
你是从比较DOS图得出来的结论吗？比较bulk和体的dos图？
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3楼2009-01-08 19:50:26
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sunray55

银虫 (小有名气)
★ ★
wuchenwf(金币+2,VIP+0):xiexie
引用回帖:
Originally posted by dead_soul at 2009-1-8 17:23:
请问：
通常而言，悬挂键(Dangling bond)的存在，应产生与其对应的带隙态(gap states)。
但是，在大多数关于自由表面(free-standing surface)计算的文献中，并未发现带隙态的存在呀。
请问，与surf ...

你是怎么比较的呢？dangling bond 和saturated的DOS会不同，一般dangling bond会多出peak。饱和时注意是否完全饱和。
赞一下(10人) 回复此楼
4楼2009-01-08 21:36:19
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