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Witch永

新虫 (小有名气)

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8楼: Originally posted by 649294743 at 2017-04-25 19:06:59
有没有可能是要求你对EIS进行拟合，然后读取其中capacitance的结果？

是不是直接从拟合之后的那个等效电路的图中读出来的？

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11楼2017-04-25 20:46:32

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严加谨

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【答案】应助回帖

引用回帖:

10楼: Originally posted by Witch永 at 2017-04-25 19:43:33
那我这样子算出来的电容是不是只是一部分，就不是全部了？...

一个频率点对应一个电容值。
实际上是这样子的，不知道你做的是不是双电层电容。
如果是的话，那么低频直线部分是一条垂直的直线，只与虚部有关，而与实部无关，所以无论计算哪一个频率点，电容值都是一样的。但实际测试中，这条垂直线会发生偏移，不是垂直位置了，导致发生偏移的原因就是因为电容随频率的变化而发生了改变。所以，楼上说的，通过拟合等效电路图，直接读出Cdl的参数，这个其实就不可取的，因为它只代表了一个频率下的电容。
所以，取电容值，是在低频区电容基本不发生变化的区域，这个区域才能代表双电层电容。如果是赝电容，那么需要说明好，取电容的频率是多少，一般都是在最低频，因为低频区是由离子扩散阻抗引起的，是区别超级电容器比较特征的区域

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