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心宁

金虫 (正式写手)

[交流] 【有奖求助】:MS模拟中的形成能问题 50金币

我遇到一些关于计算形成能的问题:建立结构后 掺杂 如何计算缺陷的形成能、得到缺陷能级呢?

我会一些 但不知道如何确定一些原子的化学势

谢谢虫友的相告 如果是南京的虫友 我登门请教 请喝茶或者赠你最喜欢的一本专业书

[ Last edited by freshgirl on 2009-6-21 at 16:38 ]
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志存高远须积厚流广-坚持不懈定斗转星移!
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yzcluster

金虫 (著名写手)

小木虫扫盲人


wuli8(金币+1,VIP+0):(*^__^*) 3-5 18:36
缺陷能级:一般来说,如果是浅掺杂,缺陷能级一般在导带底或是价带顶。如果是重度掺杂,可能杂质能级会在能隙中部的位置。有的时候会出现红移或是蓝移象限。由体系的BANDSTRUCTURE和DOS(或通过两者对比),可以很容易看到,也可以看出某个带是那个原子轨道扩展而成(或是该原子能级所占成分大小)。

在计算单个原子时,可以建立SUPERCELL,比如10A,把原子置入其中计算,就可以得到单个原子的能量(还可以得到原子轨道,等等)。
21楼2009-03-05 16:00:14
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q68

铁杆木虫 (著名写手)

这个问题我也一直想知道!
2楼2009-01-01 12:58:33
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effi903

铜虫 (小有名气)

★ ★ ★
wuchenwf(金币+2,VIP+0):谢谢,新年快乐
心宁(金币+1,VIP+0):新年快乐 敬请继续说明
形成能=掺杂后体系的总能量-掺杂前体系的总能量-掺杂的原子能量+被替代的原子的能量。掺杂的原子能量和被替代的原子的能量是体结构中单个原子的能量。
新年快乐!
3楼2009-01-01 13:06:38
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q68

铁杆木虫 (著名写手)


wuchenwf(金币+1,VIP+0):xiexie
这个道理都知道,但是遇到具体的情况,比如晶格优化是怎么设置等这才是重点!
4楼2009-01-01 13:22:22
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