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sunxianwen

银虫 (正式写手)

[交流] 【求助】陷阱电荷

请问"陷阱电荷"是什么意思,有什么作用?

[ Last edited by sunxianwen on 2008-12-10 at 16:19 ]
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tingyee

金虫 (小有名气)

薄膜表面及内部的缺陷态?
2楼2008-12-10 16:50:22
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xufei015

金虫 (正式写手)

你得说的具体点。。。
3楼2008-12-10 19:06:50
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ddx-k

荣誉版主 (著名写手)

骑士II

我觉的2楼说的比较对。
4楼2008-12-10 19:40:13
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sunxianwen

银虫 (正式写手)

文献中这样讲"陷阱电荷会引起肖特基势垒的变化".顾名思义陷阱电荷是不是会捕获电荷,哪位能详细解释吗
5楼2008-12-10 20:27:10
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GrasaVampiro

专家顾问 (职业作家)

微信XGBerlin

优秀版主


zt970831(金币+1,VIP+0):感谢您的交流
有些时候中文会引发错误或者不当,要再加上翻译的不用心就更糟糕了,比如此处 个人观点,此处的 陷阱电荷trap charge 应该是 被陷电荷traped charge
从此不问江湖事
6楼2008-12-10 21:39:22
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sunxianwen

银虫 (正式写手)

谢谢各位。我原来可能没说清, 文献中讲到,Ti易吸氧且电 负性小, P C M O薄膜表面大量的氧原子向 Ti 聚集,出现氧空位, 进而导致高密度的界面态, T i / P C MO  界面的能带发生弯曲形成肖特基势磊。当施加不同极性电压时,界面陷阱电荷会捕获或释放电子,, 导致肖特基势垒的能带弯曲程度 发生变化。
我的问题是,陷阱电荷具体怎么理解,为什么会捕获或释放电荷?请高手详细解释,
7楼2008-12-11 16:13:34
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tingyee

金虫 (小有名气)

你这里所谓的氧空位这就是缺陷,那么缺陷会导致缺陷能级的生成,载流子会在此处被俘获或者释放。
8楼2008-12-11 17:13:03
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sunxianwen

银虫 (正式写手)

我是否可以这样理解,PCMO中的氧空位处,相当于呈现带正电荷性质,所以带负电电子经过此处会被捕获,所以在不同极性电压作用下,电子收到电场力作用下,会被捕获或释放。
9楼2008-12-11 17:34:20
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