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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 【求助】如何计算不同温度下的Ga-O键的键能？
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漫天飘雪

版主 (知名作家)

认真做事，踏实做人
DFT温度很难考虑的
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http://blog.sciencenet.cn/u/pfliu89
11楼2016-12-18 20:03:37
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zhangfrank

金虫 (正式写手)
引用回帖:
8楼: Originally posted by lz830617 at 2016-12-18 12:30:47
在不同温度下优化，计算晶体的总能量。然后计算结合能。

考虑到温度效应的话，那就是AIMD了，MD用vasp算据我所知是只能算弛豫若干步（比如1pf，1fs/step，也就是1000步）
你的意思是要在这1000步算完了，再用默认的DFT（i.e. 0K）下做结构优化是么？
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计算顺利点吧
12楼2016-12-19 19:13:40
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zhangfrank

金虫 (正式写手)
引用回帖:
9楼: Originally posted by 小虫虫LG at 2016-12-18 14:47:49
你告诉我零温键能怎么算

其实我也是只知道有Formation Energy
至于键能的确还是不清楚怎么算，更不要说高温了。
因为XPS看元素的结合能，应该是对应的键能吧？所以我想是否可以把vasp计算的能量跟xps测试结果做一些结合，但是不懂的地方太多了
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计算顺利点吧
13楼2016-12-19 19:15:12
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zhangfrank

金虫 (正式写手)
引用回帖:
10楼: Originally posted by lz830617 at 2016-12-18 19:22:40
你可以参考团簇的计算方法。先算总能量减去A原子数乘以原子能量减去B原子数乘以原子能量。

那如何引入温度这一概念？AIMD应该只能算弛豫若干步的分子动力学模拟吧？是要在MD之后做一个0k的弛豫？
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计算顺利点吧
14楼2016-12-19 19:16:50
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