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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 半导体 » 求助LED发光二极管大神
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firefox_me

木虫 (著名写手)
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p型是GaN掺Mg，n型是GaN掺Si，p型层与n型层之间是InGaN量子阱有源区，InGaN两侧都是GaN，就是双异质结

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晨冮
54楼2016-11-28 18:15:12
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晨冮

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54楼: Originally posted by firefox_me at 2016-11-28 18:15:12
p型是GaN掺Mg，n型是GaN掺Si，p型层与n型层之间是InGaN量子阱有源区，InGaN两侧都是GaN，就是双异质结

是所有的LEDp型与n型之间都有有源区吗？p型与n型直接接触可以吗？

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55楼2016-11-28 23:36:59
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firefox_me

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55楼: Originally posted by 晨冮 at 2016-11-28 23:36:59
是所有的LEDp型与n型之间都有有源区吗？p型与n型直接接触可以吗？
...

现在的LED都有有源层的，早期有p型层与n型层直接接触的，但是掺杂层直接接触会漏电，而且现在采用的有源层是量子阱，发光效率高

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晨冮
56楼2016-11-29 08:08:16
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晨冮

木虫 (正式写手)
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56楼: Originally posted by firefox_me at 2016-11-29 08:08:16
现在的LED都有有源层的，早期有p型层与n型层直接接触的，但是掺杂层直接接触会漏电，而且现在采用的有源层是量子阱，发光效率高
...

现在的量子阱有源层大概有多厚啊？还有LED使用的砷化镓，氮化镓等本身可以电致发光吗？

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57楼2016-11-29 10:17:43
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firefox_me

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57楼: Originally posted by 晨冮 at 2016-11-29 10:17:43
现在的量子阱有源层大概有多厚啊？还有LED使用的砷化镓，氮化镓等本身可以电致发光吗？
...

InGaN量子阱一般3nm左右，InGaAs或AlGaInP量子阱一般6--10nm，GaN与GaAs可以光致发光，但GaN的发光波长为365nm，处于紫外波段，而GaAs的波长875nm，处于红外波段，蓝绿光LED的有源区为InGaN/GaN多量子阱，红光的是AlGaInP多量子阱
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58楼2016-11-29 14:12:21
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springburn51楼
2016-11-28 17:59   回复  
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饼干在哪里哇52楼
2016-11-28 18:01   回复  
晨冮(金币+1): 谢谢参与
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syhorchid53楼
2016-11-28 18:10   回复  
晨冮(金币+1): 谢谢参与
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