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hhx621

新虫 (初入文坛)

★ ★ ★ ★ ★ ★
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小木虫:)(金币+5,VIP+0):鼓励新虫发言 10-27 23:54
非平衡多数载流子的浓度和多数载流子浓度相比几乎可以忽略,所以常研究非平衡小数载流子的浓度
11楼2009-10-27 21:19:23
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tan-tt

木虫 (小有名气)

★ ★ ★ ★
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小木虫:)(金币+3,VIP+0):3x 10-27 23:54
hhx621的解释才是问题的核心。
因为载流子的寿命测量,通常都是指的非平衡载流子。而非平衡少数载流子相对于少数载流子才有较为明显的变化。非平衡多数载流子的变化不大。
12楼2009-10-27 21:24:07
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basanwuyu

银虫 (小有名气)

谢谢hhx621及tan-tt  的回复,祝你们常常开心!
谋事在人,成事在人;为梦想奋斗,永不停息!
13楼2009-10-28 11:52:51
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xyq163

铜虫 (初入文坛)


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知识涉及半导体物理
载流子即说的少子,是半导体器件的主要物理参数,
空间电荷区即耗尽层。是P区N区少子的集合区,当内建电场达到一定时,即平衡,少子即不在复合。
所谓的少子寿命即少子运动到复合中心的时间,是衡量一个材料的半导体特性的重要标准》
14楼2009-11-12 16:03:30
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basanwuyu

银虫 (小有名气)

xyq163  要有自己的见解 ,不要盲目地抄袭别人的话语!
谋事在人,成事在人;为梦想奋斗,永不停息!
15楼2009-11-16 21:36:52
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yuminglang

金虫 (小有名气)

★ ★ ★ ★ ★ ★
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小木虫:)(金币+5,VIP+0):3q 11-24 23:40
当用光照射半导体时,半导体处于非平衡态,这个也叫光注入,同时也有电注入,这时半导体内就有非平衡载流子形成,对于N型的半导体,&N是非平衡多子 &P是非平衡少子,又因为非平衡载流子要复合,所以要测其寿命,这一点希望你能搞懂。当小注入时,P《&P=&N《N   &P的对空穴的影响是很大的  继而影响半导体的性能。
    现在我也只能说这么多, 我给你推荐 刘恩科的 《半导体物理》,  你看之后会有很大的收获~~~~ 希望对你有帮助 ~~~~   我是兰大的研究生    以后又什么问题 我们可以一起讨论,共同进步~~~314437897
16楼2009-11-23 22:25:36
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smthhh

铁虫 (初入文坛)

学习了,不错!
17楼2009-11-23 22:35:19
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frankwang583

金虫 (正式写手)


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少子是你所想扩散进去的多少,多子是材料本身的寿命意义不大,只有测量少子寿命的多少才能决定你的扩散的好与坏.
一个从事研发太阳能电池8.5年后,现在失业的胖子。
18楼2009-11-24 10:50:05
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basanwuyu

银虫 (小有名气)

谢谢yuminglang  ,frankwang583  回复,祝你们学习愉快!
谋事在人,成事在人;为梦想奋斗,永不停息!
19楼2009-11-24 18:41:28
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