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hihxl1木虫 (正式写手)
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射频磁控溅射薄膜成分问题 已有1人参与
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1. 基本描述： 靶材为MoS2、SiO2等非导电（导电能力弱）的靶材，直径100mm。射频溅射电源起辉，气压0.8Pa，功率300W。 溅射系统：前期采用单极脉冲磁控溅射时，靶材通过压环固定于阴极上，外部有一阳极罩。采用射频电源后将阳极罩去掉不用，直接以图1的方式起辉镀膜。 2. 问题描述及分析： 薄膜成分通过能谱仪测试后，发现薄膜除靶材元素外，一直能够检测到Fe、Cr等污染元素，分析是由于压环（不锈钢）溅射引起的。 如何避免来自压环的溅射，减小甚至消除污染元素来源？  图2 起辉照片.png  图1 射频溅射起辉时靶材的原始状态.jpg |
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 薄膜制备与特性 |
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hihxl1
木虫 (正式写手)
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