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xxxxxxxfc

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[求助] vasp可以用虚晶近似不？已有1人参与

如题，可以把poscar里面某个元素的含量设置成0.5不？

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1楼2016-07-16 08:00:36

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漫天飘雪

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【答案】应助回帖

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xxxxxxxfc: 金币+15, ★★★★★最佳答案, 好吧。。。谢啦 2016-07-16 11:49:37

不可以，至今没见过vasp用虚晶近似的

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http://blog.sciencenet.cn/u/pfliu89

3楼2016-07-16 10:59:13

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valenhou001

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下面大致介绍VASP如何设置VCA的计算，至于计算结果是否可靠，还需检验或与其他程序进行比较。
以SiC为：
===1:1的SiC===
SiC
4.37905112
0.00 0.5 0.5
0.5  0.00 0.5
0.5 0.5  0.00
Si C
1  1
Direct
0.25000000 0.25000000 0.25000000
0.00000000 0.00000000 0.00000000

如设置Si0.5C1.5的
--------POSCAR----
SiC
4.37905112
0.00 0.5 0.5
0.5  0.00 0.5
0.5 0.5  0.00
Si C C
1  1 1
Direct
0.25000000 0.25000000 0.25000000
0.25000000 0.25000000 0.25000000
0.00000000 0.00000000 0.00000000

---
注意以上Si和C有一个位置坐标是完全相同的。
同时INCAR的设置：
VCA = 0.5  0.5  1.0
这里VCA的第1、2个数控制了Si， C占相同位置的几率。
另外POTCAR里C的势要有重复2次。即先 cat  Si的POTCAR，再cat 两遍 C的POTCAR缀加到  POTCAR文件中。

需要测试一下， VCA= 1.0 0.0  1.0与  完整正常情况时SiC计算出来的结果(比如总能和能带、态密度等)相比较，看它们是否一样。

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22楼2016-09-01 14:01:28

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