| 查看: 1429 | 回复: 15 | |||
| 当前主题已经存档。 | |||
[交流]
【求助】太阳能硅片清洗技术与工艺
|
|||
|
各位专家级虫虫，本人是从事光伏太阳能硅片行业，目前主要是单晶硅片，这里想请教一下，单晶硅切片后，硅片的清洗工艺与技术，目前能达到的清洗合格率能有多少？有没有相关的资料或者文献？ [ Last edited by wuli8 on 2008-12-4 at 16:58 ] |
回复此楼» 猜你喜欢
332求调剂
已经有7人回复
-
348求调剂
已经有4人回复
-
305求调剂
已经有8人回复
-
一志愿北京化工大学材料与化工（085600）296求调剂
已经有13人回复
-
调剂310
已经有9人回复
-
本科双非材料，跨考一志愿华电085801电气，283求调剂，任何专业都可以
已经有8人回复
-
调剂求院校招收
已经有6人回复
-
085600 材料与化工 329分求调剂
已经有11人回复
-
求收留
已经有3人回复
-
0856求调剂
已经有14人回复
2楼2008-11-09 10:34:21
stardom427
木虫 (著名写手)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 4253
- 红花: 2
- 帖子: 2139
- 在线: 366.3小时
- 虫号: 368091
- 注册: 2007-05-11
- 性别: GG
- 专业: 无机非金属类光电信息与功
3楼2008-11-12 20:41:54
4楼2008-12-04 16:11:42
5楼2008-12-06 13:51:50
ruoshui789
金虫 (正式写手)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 2824.7
- 散金: 90
- 红花: 1
- 帖子: 509
- 在线: 67.2小时
- 虫号: 567246
- 注册: 2008-06-01
- 专业: 凝聚态物性I:结构、力学和
★ ★
ddx-k(金币+2,VIP+0):多谢你的信息!
ddx-k(金币+2,VIP+0):多谢你的信息!
|
RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的，并由此而得名。RCA是一种典型的、至今仍为最普遍使用的湿式化学清洗法，该清洗法主要包括以下几种清洗液。 （1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。 （2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金属，DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时，在自然氧化膜被腐蚀掉时，硅片表面的硅几乎不被腐蚀。 （3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2)，呈亲水性，硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蚀硅片表面的同时，H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。 （4）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。在室温下HPM就能除去Fe和Zn。 清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有机沾污，因为有机物会遮盖部分硅片表面，从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除；然后溶解氧化膜，因为氧化层是“沾污陷阱”，也会引入外延缺陷；最后再去除颗粒、金属等沾污，同时使硅片表面钝化。 |
6楼2008-12-09 10:04:41
7楼2008-12-09 10:36:25
8楼2009-01-12 13:26:21
9楼2009-04-25 11:15:30
10楼2009-06-01 16:06:46
