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求助高斯软件SAC-CI方法的使用
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量化小白，问问大神，一直搞不懂高斯SAC-CI方法： 1.计算电子亲和能怎么计算呢，比如对开壳层的F原子，应该怎么写计算路径？要是有亲和能数据，求告知关键词，我只知道电离能是 “I.P.” 还有因为能增加电子的关键词我就知道 AddElectron,所以我写的计算路径是 # ROHF/6-31G(d) SAC-CI=(AddElectron,CationDoublet=(NState=8)) Test Null 0 1 F 0.0 0.0 0.0 但是看了点说明，理解为：SAC-CI 计算会处理成 F- 阴离子到 F 原子的跃迁，增加电子是凑出 F- 闭壳层结构，在这个基础上求解的。不知道对不对？ 2.是不是 AddElectron 关键词只是在形成闭壳层这一步有作用，无其他作用?增加的电子可不可以理解为是 F原子 和 无穷远一个电子 组成的系统？ 3.SAC-CI 方法计算到的激发能（电离能）是垂直激发能还是绝热激发能呢？ 问得有点多，只能给50金币，万一每个回复都给50金币，我只能给三个。。。@jiewei |
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