帖子
小木虫论坛-学术科研互动平台 » 站内搜索
7141/29123456下一页
显示全部
分类 共搜索到 714 个相关话题(最多显示前5000个) 作者 最后发表
会议与征稿布告栏 2026年半导体材料、外延生长与器件物理国际会议（SMEGD 2026）
研究分子束外延、MOCVD等先进技术，探索材料制备与器件设计的结合路径；关注高电子迁移率晶体管、功率器件等议题，推动半导体技术的可持续发展；形成专题报告，为全球电子信息产业注入新...
 ncoz0395 2026-08-13 07:37
文献求助 外文文献求助
Ga2O3byhot-wallMOCVDAIPAdvances202212（5）：,05502210.1063/5.0087571https://pubs.aip.org/aip/adv/article/12/5/055022/2818961/Epitaxial-growth-of-Ga2O3-by-hot-wall-MOCVD其它外文...
 peaceful 2026-08-02 02:09
绿色求助(高悬赏) doped GaN by MOCVD for verti
ShashwatRathkanthiwar;PegahBagheri;DolarKhachariya;SeijiMita;SpyridonPavlidis;PramodReddy;RonnyKirste;JamesTweedie;ZlatkoSitar;RamónCollazo;ShashwatRathkanthiwarPoint-...
 gavinqiqi 2026-07-29 07:15
文献求助 doped GaN by MOCVD for verti
ShashwatRathkanthiwarPoint-defectmanagementinhomoepitaxiallygrownSi-dopedGaNbyMOCVDforverticalpowerdevicesAppl.Phys.Express150510032022all
 gavinqiqi 2026-07-29 03:25
文献求助 中文文献求助
陈陈韩照周选择赵晓龙孙海定徐光伟龙世兵MOCVD同质外延生长的单晶β-Ga2O3薄膜研究真空科学与技术学报202343(03):202-20910.13922/j.cnki.cjvst.202204021...uniplatform=NZKPT&...
 peaceful 2026-07-28 02:53
招聘信息布告栏 湖南师范大学未来技术研究院招聘工程师
具有光刻、刻蚀、镀膜、MOCVD等工艺优化经验者优先；具有较强的独立工作能力、执行能力和沟通协调能力，能够配合课题组完成科研项目推进、样品制备与测试分析等工作；身心健康，工作踏实，...
 木头木瓜 2026-07-13 08:21
材料综合 亮相CIBF2026深圳电池展——南京高谦赋能电池材料与氢能全产业链
01钯膜氢气纯化为氢能电池与先进电池提供高纯氢源氢能电池、固态电池、动力电池高温制程、MOCVD、烧结保护气氛等环节，对氢气纯度要求极高，微量杂质会直接影响电池性能、循环寿命与安全性...
 GAOQ2011 2026-06-16 08:44
招聘信息布告栏 湖南师范大学未来技术研究院招聘实验员；工程师/科研助理；...
具有微纳加工平台、洁净室、半导体工艺、MOCVD等工艺验者优先；热爱科研工作，踏实细致，责任心强，能够稳定承担实验平台运行、样品制备、测试表征、数据整理及日常管理等工作；（三）...
 木头木瓜 2026-06-16 04:00
文献求助 学位论文求助
项若飞硅衬底上GaN外延层和AlGaN/GaN异质结的MOCVD生长研究华中科技大学2011201110.7666/d.d186369
 ymiskiller 2026-06-08 06:42
硕博家园 福州大学（211、双一流）孙捷和严群组半导体显示芯片及二维材料...
2、新型二维材料的MOCVD大面积生长及其在纳电子学中的应用；3、其他半导体材料和器件。主要成果：发表论文、专著多项，其中被SCI收录的180余项，承担多个国家级项目。招生条件：1.对LED、...
 shabijinpeng 2026-05-28 06:23
导师招生 福州大学（211、双一流）孙捷和严群组半导体显示芯片及二维材料...
2、新型二维材料的MOCVD大面积生长及其在纳电子学中的应用；3、其他半导体材料和器件。主要成果：发表论文、专著多项，其中被SCI收录的180余项，承担多个国家级项目。招生条件：1.对LED、...
 shabijinpeng 2026-05-28 01:21
材料综合 硅器件薄膜技术：单层与多层薄膜的分层统一模型
2$,al$_2$o$_3$&逐层自限制&完全适用&层间堆垛方程\\外延生长(mbe/mocvd)&sige,gan,sic&逐层晶格匹配&完全适用&界面能，临界厚度\\cvd/pvd介质层&sio$_2$,tin&单层+界面&完全适用&界面方程...
 lion_how 2026-04-08 05:52
金属 硅器件薄膜技术：单层与多层薄膜的分层统一模型
2$,al$_2$o$_3$&逐层自限制&完全适用&层间堆垛方程\\外延生长(mbe/mocvd)&sige,gan,sic&逐层晶格匹配&完全适用&界面能，临界厚度\\cvd/pvd介质层&sio$_2$,tin&单层+界面&完全适用&界面方程...
 lion_how 2026-04-08 05:56
考博 26博士申请求助-半导体工艺方向
本人211研三在读，目前三篇中科院二区和一篇中科院三区已经发表，获得过国家奖学金，研究方向为半导体薄膜工艺，熟练掌握MOCVD,磁控溅射技术，电子束蒸发设备，应用在光电器件和电极涂层。...
 15128064108 2026-03-28 08:19
导师招生 2026博士第二批申请或者27年，211硕士-半导体工艺方向
因本人报考26年博士学校比较少，所以导致之前报考学校大概率被刷被鸽，求985博导课题组收留，本人硕士半导体薄膜工艺，擅长磁控溅射技术，MOCVD，电子束蒸发设备等等，用于气敏传感器和电极...
 15128064108 2026-03-28 08:46
硕博家园 吉林师范大学招2026年入学凝聚态物理、无机化学专业申请考核制...
科研条件：实验室具有生长6英寸氮化镓（GaN）外延膜的金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备1台、生长6英寸碳化硅（SiC）外延膜的高温化学气相沉积（HTCVD）设备1台、大尺寸晶圆烤盘炉1台、...
 598878157 2026-02-27 08:51
版块工场 吉林师范大学宽禁带半导体材料生长与器件实验室招收2026年入学...
科研条件：实验室具有生长6英寸氮化镓（GaN）外延膜的金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备1台、生长6英寸碳化硅（SiC）外延膜的高温化学气相沉积（HTCVD）设备1台、大尺寸晶圆烤盘炉1台、...
 598878157 2026-02-26 07:59
考博 吉林师范大学宽禁带半导体材料生长与器件实验室招收2026年入学...
科研条件：实验室具有生长6英寸氮化镓（GaN）外延膜的金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备1台、生长6英寸碳化硅（SiC）外延膜的高温化学气相沉积（HTCVD）设备1台、大尺寸晶圆烤盘炉1台、...
 598878157 2026-02-26 07:56
无机/物化 吉林师范大学宽禁带半导体材料生长与器件应用重点实验室招收2026...
科研条件：实验室具有生长6英寸氮化镓（GaN）外延膜的金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备1台、生长6英寸碳化硅（SiC）外延膜的高温化学气相沉积（HTCVD）设备1台、大尺寸晶圆烤盘炉1台、...
 598878157 2026-02-26 07:49
硕博家园 吉林师范大学宽禁带半导体材料生长与器件应用重点实验室招收2026...
科研条件：实验室具有生长6英寸氮化镓（GaN）外延膜的金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备1台、生长6英寸碳化硅（SiC）外延膜的高温化学气相沉积（HTCVD）设备1台、大尺寸晶圆烤盘炉1台、...
 598878157 2026-02-26 07:44
导师招生 吉林师范大学宽禁带半导体材料生长与器件应用重点实验室招收2026...
科研条件：实验室具有生长6英寸氮化镓（GaN）外延膜的金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备1台、生长6英寸碳化硅（SiC）外延膜的高温化学气相沉积（HTCVD）设备1台、大尺寸晶圆烤盘炉1台、...
 598878157 2026-02-25 09:10
导师招生 吉林师范大学宽禁带半导体材料与器件实验室招收2026年入学博士生...
科研条件：实验室具有生长6英寸氮化镓（GaN）外延膜的金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备1台、生长6英寸碳化硅（SiC）外延膜的高温化学气相沉积（HTCVD）设备1台、大尺寸晶圆烤盘炉1台、...
 598878157 2026-02-24 07:55
文献求助 Structural and electrical properties of MOCVD-grown scandium...
VineetaR.Muthuraj[1];ClaireE.Vozel[1];MichaelIza[1];AbdullahAlharbi[2];AbdullahAlmogbel[2];ShujiNakamura[1,3];UmeshK.Mishra[3];StaciaKeller[3];StevenP.DenBaars[1,3]...
 520njdxhyd 2026-01-31 03:53
材料综合 深耕氢能与过滤材料、技术，为有需要的同行提供设备、技术上的...
广泛应用于半导体芯片、人造金刚石、MOCVD等高端场景，还可实现氦氢分离、氢同位素分离。高纯氢制氢系统：集成电解水/甲烷重整/甲醇重整/氨裂解等多种制氢工艺与钯膜纯化技术，无需额外脱氧...
 GAOQ2011 2026-01-20 05:31
7141/29123456下一页