小木虫论坛-学术科研互动平台

版块导航: 正在加载中...

登录注册

显示全部

分类	共搜索到 312 个相关话题(最多显示前5000个)	作者	最后发表

会议与征稿布告栏	2026年电子器件、半导体技术与电路系统国际会议（IEDSTC 2026）征文主题（以下主题包括但不限于）Track1：电子器件MOSFET、FinFET、GAA等先进晶体管器件功率半导体器件（IGBT、SiCMOSFET、GaNHEMT）存储器件：闪存、MRAM、ReRAM、PCRAM光电子器件：LED、...	151526567	2026-10-19 09:35
文献求助	求助一篇论文A double source field-plated ...Ga2O3 MOSFET ac Ashraf,E(Ashraf,Ehraz)[1];Prajesh,R(Prajesh,Rahul)[2],[3];Chaturvedi,N(Chaturvedi,Nidhi)[1],[3];Islam,SM(Islam,Sk.Masiul)Adoublesourcefield-platedrecessed-gateE-modeβ-Ga2O3...	wangz_123	2026-10-19 02:37
文献求助	Design of a reliable automotive 1300 V SiC-MOSFET module up ... HolgerMuellerDesignofareliableautomotive1300VSiC-MOSFETmoduleupto950VintermediatecircuitvoltageofelectriccommercialvehiclesCIPS2026202611,10-12...	kammury	2026-10-18 08:56
文献求助	787-V GaN-on-Si Quasi-Vertical Trench MOSFET With Thick ... MaoqingLing;JingangLi;AngLi;ZheyuanHu;JieZhang;ZhiweiSun787-VGaN-on-SiQuasi-VerticalTrenchMOSFETWithThickBottomSiO2IEEETransactionsonElectronDevices202673,5,2959-296610.1109/...	kammury	2026-10-04 08:21
文献求助	operating-area degradation and failure modes of SiC MOSFET ZZhang,LLiang,HFei-PowerElectronicDevicesandComponents,2023-ElsevierZZhang,LLiang,HFeiInvestigationonsafe-operating-...	lsmh	2026-09-10 03:22
仿真模拟	半导体器件模拟与EDA工具开发及AI大模型本地部署：从器件物理到... BSIM、PSP、HiSIM等业界标准的MOSFET模型，其参数提取过程本身就是一项计算密集型任务。以BSIM4模型为例，一个完整的参数提取流程需要覆盖宽长比扫描、温度扫描、噪声特性测量等多个维度。...	peterfxmc	2026-09-03 05:56
文献求助	An Analysis of UIS Failure Mechanism of 4H-SiC MOSFET in ... ChenYan;BaiYun;LiChengzhan;WangAntao;LeshanQiu;TianXiaoliAllAuthors581AnAnalysisofUISFailureMechanismof4H-SiCMOSFETinTransitionRegionIEEEXplore2025202537...	beefpothot	2026-06-05 09:12
化工设备	易度质量流量控制器在扩散炉工艺中的实际应用与优势解析案例背景：某功率半导体企业的氧化工艺升级国内某功率半导体IDM企业，在生产高压MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）时，对栅氧化层的生长工艺有着高要求。该企业原有的扩散炉产线使用...	YiduMFC	2026-06-05 09:28
文献求助	用于顶侧冷却MOSFET的各种热界面材料的热性能研究 KshitijAnilKolas;PuneetSharma;RomanBoldyrjew-Mast;MaurizioTranchero;SvenRzepkaInvestigationofThermalPerformanceofVariousThermalInterfaceMaterialsUsedinTop-Side-CooledMOSFETs...	顽石潘晨	2026-05-21 12:29
材料综合	硅基器件从材料到工艺产业化完整解决方案不同工艺条件下的典型值：\begin{table}\centering\caption{平面mosfet工艺节点参数}\begin{tabular}{lccc}\toprule节点&130nm&90nm&45nm\\\midrule沟道长度$l$(nm)&130&90&45\\栅氧化层...	lion_how	2026-03-03 04:29
硕博家园	吉林师范大学招2026年入学凝聚态物理、无机化学专业申请考核制... 在高功率电力电子器件领域，深耕碳化硅外延工艺，优化缺陷控制技术，发展功率场效应晶体管MOSFET，推动相应技术在吉林省企业转化。在紫外光电器件领域，推动解决大尺寸氮化镓外延膜良率问题...	598878157	2026-02-27 08:51
版块工场	吉林师范大学宽禁带半导体材料生长与器件实验室招收2026年入学... 在高功率电力电子器件领域，深耕碳化硅外延工艺，优化缺陷控制技术，发展功率场效应晶体管MOSFET，推动相应技术在吉林省企业转化。在紫外光电器件领域，推动解决大尺寸氮化镓外延膜良率问题...	598878157	2026-02-26 07:59
考博	吉林师范大学宽禁带半导体材料生长与器件实验室招收2026年入学... 在高功率电力电子器件领域，深耕碳化硅外延工艺，优化缺陷控制技术，发展功率场效应晶体管MOSFET，推动相应技术在吉林省企业转化。在紫外光电器件领域，推动解决大尺寸氮化镓外延膜良率问题...	598878157	2026-02-26 07:56
无机/物化	吉林师范大学宽禁带半导体材料生长与器件应用重点实验室招收2026... 在高功率电力电子器件领域，深耕碳化硅外延工艺，优化缺陷控制技术，发展功率场效应晶体管MOSFET，推动相应技术在吉林省企业转化。在紫外光电器件领域，推动解决大尺寸氮化镓外延膜良率问题...	598878157	2026-02-26 07:49
硕博家园	吉林师范大学宽禁带半导体材料生长与器件应用重点实验室招收2026... 在高功率电力电子器件领域，深耕碳化硅外延工艺，优化缺陷控制技术，发展功率场效应晶体管MOSFET，推动相应技术在吉林省企业转化。在紫外光电器件领域，推动解决大尺寸氮化镓外延膜良率问题...	598878157	2026-02-26 07:44
导师招生	吉林师范大学宽禁带半导体材料生长与器件应用重点实验室招收2026... 在高功率电力电子器件领域，深耕碳化硅外延工艺，优化缺陷控制技术，发展功率场效应晶体管MOSFET，推动相应技术在吉林省企业转化。在紫外光电器件领域，推动解决大尺寸氮化镓外延膜良率问题...	598878157	2026-02-25 09:10
导师招生	吉林师范大学宽禁带半导体材料与器件实验室招收2026年入学博士生... 在高功率电力电子器件领域，深耕碳化硅外延工艺，优化缺陷控制技术，发展功率场效应晶体管MOSFET，推动相应技术在吉林省企业转化。在紫外光电器件领域，推动解决大尺寸氮化镓外延膜良率问题...	598878157	2026-02-24 07:55
物理	磁性“甜点”实现空穴自旋量子比特的最优运行 Schmitt博士解释道：“我们研究的系统由一根硅纳米线构成，其上覆盖着与小型MOSFET晶体管非常相似的栅极结构。通过施加电压，我们可以在深低温条件下将单个电荷困在纳米线中。“在外加磁场...	rlafite	2026-01-22 04:54
考博	青岛大学应届硕士2026博士申请（替朋友发帖）方向二：半导体器件（OECT、MOSFET）。论文情况：一篇JournalofMaterialsScience&Technology（一作，IF:14.3,一区），主要内容为石墨烯量子点在碱性海水中提高催化剂的稳定性；一篇...	nioktimo	2025-11-11 10:12
文献求助	硕士论文蒋彦博分裂栅功率MOSFET器件热安全工作区研究信息科技2022无中国知网CNKI	残留的伤	2025-10-26 09:41
招聘信息布告栏	广州知名企业招聘电化学（合成氨）、电源、半导体专业博士职位名称：半导体高级工程师（博士）工作职责1、负责宽禁带功率器件mosfet的结构设计与仿真；2、负责功率半导体器件/新材料相关技术的调研及研究；3、负责设计平台的搭建及新技术专利的撰写...	Leozhu1001	2025-09-09 02:17
文献求助	碳化硅MOSFET大电流应力可靠性与阈值电压稳定性研究李旭碳化硅MOSFET大电流应力可靠性与阈值电压稳定性研究未知2025未知10.27005/d.cnki.gdzku.2024.005764	zuowansheng	2025-08-25 01:40
导师招生	吉林师范大学宽禁带半导体材料与器件团队招收2025年入学博士研究... 在高功率电力电子器件领域，深耕碳化硅外延工艺，优化缺陷控制技术，发展功率场效应晶体管MOSFET，推动相应技术在吉林省企业转化。在紫外光电器件领域，推动解决大尺寸氮化镓外延膜良率问题...	598878157	2025-05-15 01:22
导师招生	吉林师范大学宽禁带半导体材料与器件团队招收2025年入学博士生2... 在高功率电力电子器件领域，深耕碳化硅外延工艺，优化缺陷控制技术，发展功率场效应晶体管MOSFET，推动相应技术在吉林省企业转化。在紫外光电器件领域，推动解决大尺寸氮化镓外延膜良率问题...	598878157	2025-05-10 11:13
导师招生	吉林师范大学凝聚态物理专业、无机化学专业招收2025年入学博士生在高功率电力电子器件领域，深耕碳化硅外延工艺，优化缺陷控制技术，发展功率场效应晶体管MOSFET，推动相应技术在吉林省企业转化。在紫外光电器件领域，推动解决大尺寸氮化镓外延膜良率问题...	598878157	2025-02-17 04:07