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分类 共搜索到 304 个相关话题(最多显示前5000个) 作者 最后发表
材料综合 硅基器件从材料到工艺产业化完整解决方案
不同工艺条件下的典型值：\begin{table}\centering\caption{平面mosfet工艺节点参数}\begin{tabular}{lccc}\toprule节点&130nm&90nm&45nm\\\midrule沟道长度$l$(nm)&130&90&45\\栅氧化层...
 lion_how 2026-03-03 04:29
硕博家园 吉林师范大学招2026年入学凝聚态物理、无机化学专业申请考核制...
在高功率电力电子器件领域，深耕碳化硅外延工艺，优化缺陷控制技术，发展功率场效应晶体管MOSFET，推动相应技术在吉林省企业转化。在紫外光电器件领域，推动解决大尺寸氮化镓外延膜良率问题...
 598878157 2026-02-27 08:51
版块工场 吉林师范大学宽禁带半导体材料生长与器件实验室招收2026年入学...
在高功率电力电子器件领域，深耕碳化硅外延工艺，优化缺陷控制技术，发展功率场效应晶体管MOSFET，推动相应技术在吉林省企业转化。在紫外光电器件领域，推动解决大尺寸氮化镓外延膜良率问题...
 598878157 2026-02-26 07:59
考博 吉林师范大学宽禁带半导体材料生长与器件实验室招收2026年入学...
在高功率电力电子器件领域，深耕碳化硅外延工艺，优化缺陷控制技术，发展功率场效应晶体管MOSFET，推动相应技术在吉林省企业转化。在紫外光电器件领域，推动解决大尺寸氮化镓外延膜良率问题...
 598878157 2026-02-26 07:56
无机/物化 吉林师范大学宽禁带半导体材料生长与器件应用重点实验室招收2026...
在高功率电力电子器件领域，深耕碳化硅外延工艺，优化缺陷控制技术，发展功率场效应晶体管MOSFET，推动相应技术在吉林省企业转化。在紫外光电器件领域，推动解决大尺寸氮化镓外延膜良率问题...
 598878157 2026-02-26 07:49
硕博家园 吉林师范大学宽禁带半导体材料生长与器件应用重点实验室招收2026...
在高功率电力电子器件领域，深耕碳化硅外延工艺，优化缺陷控制技术，发展功率场效应晶体管MOSFET，推动相应技术在吉林省企业转化。在紫外光电器件领域，推动解决大尺寸氮化镓外延膜良率问题...
 598878157 2026-02-26 07:44
导师招生 吉林师范大学宽禁带半导体材料生长与器件应用重点实验室招收2026...
在高功率电力电子器件领域，深耕碳化硅外延工艺，优化缺陷控制技术，发展功率场效应晶体管MOSFET，推动相应技术在吉林省企业转化。在紫外光电器件领域，推动解决大尺寸氮化镓外延膜良率问题...
 598878157 2026-02-25 09:10
导师招生 吉林师范大学宽禁带半导体材料与器件实验室招收2026年入学博士生...
在高功率电力电子器件领域，深耕碳化硅外延工艺，优化缺陷控制技术，发展功率场效应晶体管MOSFET，推动相应技术在吉林省企业转化。在紫外光电器件领域，推动解决大尺寸氮化镓外延膜良率问题...
 598878157 2026-02-24 07:55
物理 磁性“甜点”实现空穴自旋量子比特的最优运行
Schmitt博士解释道：“我们研究的系统由一根硅纳米线构成，其上覆盖着与小型MOSFET晶体管非常相似的栅极结构。通过施加电压，我们可以在深低温条件下将单个电荷困在纳米线中。“在外加磁场...
 rlafite 2026-01-22 04:54
考博 青岛大学应届硕士2026博士申请（替朋友发帖）
方向二：半导体器件（OECT、MOSFET）。论文情况：一篇JournalofMaterialsScience&Technology（一作，IF:14.3,一区），主要内容为石墨烯量子点在碱性海水中提高催化剂的稳定性；一篇...
 nioktimo 2025-11-11 10:12
文献求助 硕士论文
蒋彦博分裂栅功率MOSFET器件热安全工作区研究信息科技2022无中国知网CNKI
 残留的伤 2025-10-26 09:41
招聘信息布告栏 广州知名企业招聘电化学（合成氨）、电源、半导体专业博士
职位名称：半导体高级工程师（博士）工作职责1、负责宽禁带功率器件mosfet的结构设计与仿真；2、负责功率半导体器件/新材料相关技术的调研及研究；3、负责设计平台的搭建及新技术专利的撰写...
 Leozhu1001 2025-09-09 02:17
文献求助 碳化硅MOSFET大电流应力可靠性与阈值电压稳定性研究
李旭碳化硅MOSFET大电流应力可靠性与阈值电压稳定性研究未知2025未知10.27005/d.cnki.gdzku.2024.005764
 zuowansheng 2025-08-25 01:40
导师招生 吉林师范大学宽禁带半导体材料与器件团队招收2025年入学博士研究...
在高功率电力电子器件领域，深耕碳化硅外延工艺，优化缺陷控制技术，发展功率场效应晶体管MOSFET，推动相应技术在吉林省企业转化。在紫外光电器件领域，推动解决大尺寸氮化镓外延膜良率问题...
 598878157 2025-05-15 01:22
导师招生 吉林师范大学宽禁带半导体材料与器件团队招收2025年入学博士生2...
在高功率电力电子器件领域，深耕碳化硅外延工艺，优化缺陷控制技术，发展功率场效应晶体管MOSFET，推动相应技术在吉林省企业转化。在紫外光电器件领域，推动解决大尺寸氮化镓外延膜良率问题...
 598878157 2025-05-10 11:13
导师招生 吉林师范大学凝聚态物理专业、无机化学专业招收2025年入学博士生
在高功率电力电子器件领域，深耕碳化硅外延工艺，优化缺陷控制技术，发展功率场效应晶体管MOSFET，推动相应技术在吉林省企业转化。在紫外光电器件领域，推动解决大尺寸氮化镓外延膜良率问题...
 598878157 2025-02-17 04:07
导师招生 吉林师范大学宽禁带半导体材料与器件团队招收2025年入学博士研究...
在高功率电力电子器件领域，深耕碳化硅外延工艺，优化缺陷控制技术，发展功率场效应晶体管MOSFET，推动相应技术在吉林省企业转化。在紫外光电器件领域，推动解决大尺寸氮化镓外延膜良率问题...
 598878157 2025-02-07 02:40
文献求助 Progressive Development of Superjunction Power MOSFET ...
ProgressiveDevelopmentofSuperjunctionPowerMOSFETDevicesYuChen,etalProgressiveDevelopmentofSuperjunctionPowerMOSFETDevicesIEEETransactionsonElectronDevicesJanuary2008Volume:55,...
 Bright-Ma 2025-01-31 07:44
文献求助 基于脉冲变压器隔离的MOSFET驱动电路的设计
无基于脉冲变压器隔离的MOSFET驱动电路的设计无无无无https://wap.cnki.net/touch/web/Journal/Article/GWDZ202012039.html中国知网CNKI无
 peter1a 2025-01-19 01:47
文献求助 高压浮动MOSFET栅极驱动技术
无高压浮动MOSFET栅极驱动技术无无无无https://wap.cnki.net/touch/web/Journal/Article/TXDY200303012.html中国知网CNKI无
 peter1a 2025-01-18 07:08
文献求助 碳化硅MOSFET器件建模及一体化驱动技术研究
无碳化硅MOSFET器件建模及一体化驱动技术研究无无无无https://wap.cnki.net/touch/web/Dissertation/Article/10213-1016774645.nh.html中国知网CNKI
 peter1a 2025-01-18 07:41
文献求助 In Situ Oxide,GaN Interlayer-Based Vertical Trench MOSFET(OG...
ChiragGuptaet.al.InSituOxide,GaNInterlayer-BasedVerticalTrenchMOSFET(OG-FET)onBulkGaNsubstratesIEEEElectronDeviceLetters2017V38,issue3,P353-35510.1109/LED.2017.2649599...
 Bright-Ma 2024-07-25 01:31
文献求助 MOSFET与IGBT驱动电路的研究与设计
无MOSFET与IGBT驱动电路的研究与设计无无无无https://wap.cnki.net/touch/web/Journal/Article/XXHG201503005.html中国知网CNKI
 peter1a 2024-07-07 08:51
材料综合 MOSFET管的亚阈值区和强反型饱和区是按什么划分的？两者的区别是...
MOSFET管的亚阈值区和强反型饱和区是按什么划分的？两者的区别是什么？
 八厘米光亮 2024-06-27 03:07
文献求助 文献求助 Study on failure mechanism caused by ...MOSFET during
LeSu,CailinWang,WuhuaYang,JingAnStudyonfailuremechanismcausedbyvoltageleapofSGT-MOSFETduringUIStestingMicroelectronicsReliability2022Volume139,December2022,11482210.1016/j....
 淡清泉 2024-05-28 09:21
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