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分类	共搜索到 709 个相关话题(最多显示前5000个)	作者	最后发表

材料综合	亮相CIBF2026深圳电池展——南京高谦赋能电池材料与氢能全产业链 01钯膜氢气纯化为氢能电池与先进电池提供高纯氢源氢能电池、固态电池、动力电池高温制程、MOCVD、烧结保护气氛等环节，对氢气纯度要求极高，微量杂质会直接影响电池性能、循环寿命与安全性...	GAOQ2011	2026-06-16 08:44
招聘信息布告栏	湖南师范大学未来技术研究院招聘实验员；工程师/科研助理；... 具有微纳加工平台、洁净室、半导体工艺、MOCVD等工艺验者优先；热爱科研工作，踏实细致，责任心强，能够稳定承担实验平台运行、样品制备、测试表征、数据整理及日常管理等工作；（三）...	木头木瓜	2026-06-16 04:00
文献求助	学位论文求助项若飞硅衬底上GaN外延层和AlGaN/GaN异质结的MOCVD生长研究华中科技大学2011201110.7666/d.d186369	ymiskiller	2026-06-08 06:42
硕博家园	福州大学（211、双一流）孙捷和严群组半导体显示芯片及二维材料... 2、新型二维材料的MOCVD大面积生长及其在纳电子学中的应用；3、其他半导体材料和器件。主要成果：发表论文、专著多项，其中被SCI收录的180余项，承担多个国家级项目。招生条件：1.对LED、...	shabijinpeng	2026-05-28 06:23
导师招生	福州大学（211、双一流）孙捷和严群组半导体显示芯片及二维材料... 2、新型二维材料的MOCVD大面积生长及其在纳电子学中的应用；3、其他半导体材料和器件。主要成果：发表论文、专著多项，其中被SCI收录的180余项，承担多个国家级项目。招生条件：1.对LED、...	shabijinpeng	2026-05-28 01:21
材料综合	硅器件薄膜技术：单层与多层薄膜的分层统一模型 2$,al$_2$o$_3$&逐层自限制&完全适用&层间堆垛方程\\外延生长(mbe/mocvd)&sige,gan,sic&逐层晶格匹配&完全适用&界面能，临界厚度\\cvd/pvd介质层&sio$_2$,tin&单层+界面&完全适用&界面方程...	lion_how	2026-04-08 05:52
金属	硅器件薄膜技术：单层与多层薄膜的分层统一模型 2$,al$_2$o$_3$&逐层自限制&完全适用&层间堆垛方程\\外延生长(mbe/mocvd)&sige,gan,sic&逐层晶格匹配&完全适用&界面能，临界厚度\\cvd/pvd介质层&sio$_2$,tin&单层+界面&完全适用&界面方程...	lion_how	2026-04-08 05:56
考博	26博士申请求助-半导体工艺方向本人211研三在读，目前三篇中科院二区和一篇中科院三区已经发表，获得过国家奖学金，研究方向为半导体薄膜工艺，熟练掌握MOCVD,磁控溅射技术，电子束蒸发设备，应用在光电器件和电极涂层。...	15128064108	2026-03-28 08:19
导师招生	2026博士第二批申请或者27年，211硕士-半导体工艺方向因本人报考26年博士学校比较少，所以导致之前报考学校大概率被刷被鸽，求985博导课题组收留，本人硕士半导体薄膜工艺，擅长磁控溅射技术，MOCVD，电子束蒸发设备等等，用于气敏传感器和电极...	15128064108	2026-03-28 08:46
硕博家园	吉林师范大学招2026年入学凝聚态物理、无机化学专业申请考核制... 科研条件：实验室具有生长6英寸氮化镓（GaN）外延膜的金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备1台、生长6英寸碳化硅（SiC）外延膜的高温化学气相沉积（HTCVD）设备1台、大尺寸晶圆烤盘炉1台、...	598878157	2026-02-27 08:51
版块工场	吉林师范大学宽禁带半导体材料生长与器件实验室招收2026年入学... 科研条件：实验室具有生长6英寸氮化镓（GaN）外延膜的金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备1台、生长6英寸碳化硅（SiC）外延膜的高温化学气相沉积（HTCVD）设备1台、大尺寸晶圆烤盘炉1台、...	598878157	2026-02-26 07:59
考博	吉林师范大学宽禁带半导体材料生长与器件实验室招收2026年入学... 科研条件：实验室具有生长6英寸氮化镓（GaN）外延膜的金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备1台、生长6英寸碳化硅（SiC）外延膜的高温化学气相沉积（HTCVD）设备1台、大尺寸晶圆烤盘炉1台、...	598878157	2026-02-26 07:56
无机/物化	吉林师范大学宽禁带半导体材料生长与器件应用重点实验室招收2026... 科研条件：实验室具有生长6英寸氮化镓（GaN）外延膜的金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备1台、生长6英寸碳化硅（SiC）外延膜的高温化学气相沉积（HTCVD）设备1台、大尺寸晶圆烤盘炉1台、...	598878157	2026-02-26 07:49
硕博家园	吉林师范大学宽禁带半导体材料生长与器件应用重点实验室招收2026... 科研条件：实验室具有生长6英寸氮化镓（GaN）外延膜的金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备1台、生长6英寸碳化硅（SiC）外延膜的高温化学气相沉积（HTCVD）设备1台、大尺寸晶圆烤盘炉1台、...	598878157	2026-02-26 07:44
导师招生	吉林师范大学宽禁带半导体材料生长与器件应用重点实验室招收2026... 科研条件：实验室具有生长6英寸氮化镓（GaN）外延膜的金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备1台、生长6英寸碳化硅（SiC）外延膜的高温化学气相沉积（HTCVD）设备1台、大尺寸晶圆烤盘炉1台、...	598878157	2026-02-25 09:10
导师招生	吉林师范大学宽禁带半导体材料与器件实验室招收2026年入学博士生... 科研条件：实验室具有生长6英寸氮化镓（GaN）外延膜的金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备1台、生长6英寸碳化硅（SiC）外延膜的高温化学气相沉积（HTCVD）设备1台、大尺寸晶圆烤盘炉1台、...	598878157	2026-02-24 07:55
文献求助	Structural and electrical properties of MOCVD-grown scandium... VineetaR.Muthuraj[1];ClaireE.Vozel[1];MichaelIza[1];AbdullahAlharbi[2];AbdullahAlmogbel[2];ShujiNakamura[1,3];UmeshK.Mishra[3];StaciaKeller[3];StevenP.DenBaars[1,3]...	520njdxhyd	2026-01-31 03:53
材料综合	深耕氢能与过滤材料、技术，为有需要的同行提供设备、技术上的... 广泛应用于半导体芯片、人造金刚石、MOCVD等高端场景，还可实现氦氢分离、氢同位素分离。高纯氢制氢系统：集成电解水/甲烷重整/甲醇重整/氨裂解等多种制氢工艺与钯膜纯化技术，无需额外脱氧...	GAOQ2011	2026-01-20 05:31
职场人生	职位广告理工大学中山研究院纳米材料实验室主任教授诚聘...3.纳米材料半导体材料，MOCVD气相沉积法生长半导体GaSn砷化鎵单晶薄膜4.功能陶瓷、结构陶瓷粉体制备及性能优化，成型工艺及烧结机理研究。	KongLB2019	2026-01-16 12:59
公派出国	英国斯旺西大学(Swansea University)招半导体材料和器件方向CSC... 光波导，硅基光电子，光学超材料和纳米光子学?器件制备工艺/超净间经验(lithography,deposition,etching,etc.)?半导体材料生长和表征（MBE，MOCVD，XRD，SEM,TEM,XPSetc.）学校和平台概况...	whotook	2026-01-12 10:56
导师招生	荷兰艾因霍芬理工您将从事二维材料（例如过渡金属二硫化物、金属氧硒化物）的化学气相沉积(CVD)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长研究，重点在于获得满足亚纳米节点技术所需卓越品质的n型和p型半导体。...	小猪盖被45	2025-12-12 04:16
仿真模拟	MOCVD可逆气相反应求助求助各位大神，做CVD气相沉积的，添加了红色框内的两步可逆反应就直接发散算不出来，尝试调小松弛因子、更换化学反应求解器为StiffChemistrySolver以及在流场和温度场收敛的基础上，逐步...	087981	2025-11-21 11:10
招聘信息布告栏	机械工程师 2、具备至少2年半导体设备工艺模组机械开发经验，优先考虑PECVD，ALD，MOCVD或EPITAXY设备经验。[来自版块群'北京']北京面议半导体设备机械工程师13913193769（微信同号）	DorisRita	2025-11-21 02:21