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分类	共搜索到 139 个相关话题(最多显示前5000个)	作者	最后发表

文献求助	求APL文献，有链接求正式发表版本...JiarenYuanGianttunnelingmagnetoresistanceeffectofvanderWaalsmagnetictunneljunctionFe3GaTe2/InSe/Fe3GaTe2Appl.Phys.Lett.(2025)126,22240310.1063/5.0268065...	jianliwang	2025-06-17 02:37
文献求助	The InSe/SiH type-II van der Waals heterostructure as a ... WeiSheng,ORCIDlogo*aYingXu,aMingweiLiu,aGuozhengNie,aJunnianWangaandShijingGongTheInSe/SiHtype-IIvanderWaalsheterostructureasapromisingwatersplittingphotocatalyst:afirst-...	刘毅您好	2025-04-25 01:37
文献求助	求助Room-Temperature Two-Dimensional InSe Plasmonic Laser ChenyangLi,QifaWang,RuixuanYi,XutaoZhang,XuetaoGanRoom-TemperatureTwo-DimensionalInSePlasmonicLaserNanoLetters202410.1021/acs.nanolett.4c0347910.1021/acs.nanolett.4c03479...	Shengkui Qiu	2024-10-10 05:54
微米和纳米	太阳能电池有开路电压但短路电流为0 楼主做的是CIGSe薄膜电池，电池结构为Mo电极-CIGSe吸收层-InSe/InS缓冲层-ZnO/AZO窗口层-Al电极，测得开路电压最高在0.68V，但所有电池短路电流都是0，导致没有转化效率。请教各位前辈可能...	托住奔啸巨河	2024-03-15 02:06
文献求助	Tunable Non-volatile Memory Based on 2D InSe/h-BN/GaSe ... XiangGong,YueyingZhou,JiangnanXia,LiZhang,LijieZhang,Long-JingYin,YuanyuanHu,ZhihuiQinandYuanTianTunableNon-volatileMemoryBasedon2DInSe/h-BN/...	532439591	2023-08-17 08:12
硕博家园	北京大学彭练矛院士-邱晨光研究员团队纳米器件与系统方向招聘... 2023年Nature论文“弹道InSe晶体管”研制出世界上迄今弹道率最高、速度最快、功耗最低的二维晶体管，首次推进二维晶体管性能超过硅基极限。01?研究方向1.后摩尔高性能超低功耗电子器件。...	哼哼哈嘿600	2023-06-10 08:14
博后之家	北京大学彭练矛院士-邱晨光研究员团队纳米器件与系统方向招聘... 2023年nature论文“弹道inse晶体管”研制出世界上迄今弹道率最高、速度最快、功耗最低的二维晶体管，首次推进二维晶体管性能超过硅基极限。01?研究方向1.后摩尔高性能超低功耗电子器件。...	哼哼哈嘿600	2023-06-10 08:14
标准与专利	一种基于GaSe/InSe异质结的光存储、电存储复合型器件及其制备... 11	小恋宇	2023-03-17 12:07
材料综合	请问机械剥离二维材料用什么胶带呀？如图1-2是之前师兄留下来的胶带，现在想剥离InSe，淘宝上看了几家，但不确定要买哪个，请问下p1-2这个叫什么，前辈们一般用什么胶带剥离？	1282906524	2022-04-21 10:03
文献求助	Spectrum Photodetectors Based on InSe/ReS2 Heterostruct HaixinMaUltrasensitiveandBroad-SpectrumPhotodetectorsBasedonInSe/ReS2HeterostructureAdvancedOpticalMaterials2021inpress10.1002/adom.202101772...	liuyanh6	2022-01-29 08:41
文献求助完结子版	to 5-layer InSe due to MengWuEnhancementofphotoluminescenceandholemobilityin1-to5-layerInSeduetothetopvalence-bandinversion:straineffectnanoscaleIssue24,2018Issue24,2018...	chuanghua304	2020-04-02 03:47
文献求助	Tunable electronic properties of an Sb/InSe van der Waals ... ZhihuiZhang,?aYanZhang,?aZifengXie,aXingWei,aTingtingGuo,aJibinFan,aLeiNi,aYeTian,bJianLiuORCIDlogocandLiDuanTunableelectronicpropertiesofanSb/...	woshilaoer8381	2019-12-02 11:38
导师招生	中国科学院微电子研究所-集成电路先导工艺研发中心-联合培养研究... 三个方向分别为：1、二维材料（TMDs，InSe）器件设计及工艺研发，2、硅基高灵敏度霍尔传感器的研究与系统集成，3、先进工艺节点CMOS架构与关键技术TCADpath-finding研究，要求分别如下：1，...	kurpenn	2019-05-28 06:28
计算模拟	castep优化直接失败，做了好多次，参数设置了好多次，为什么？... 优化的是mos2和InSe的异质结构，优化了好多次总是失败不知道问题出在哪里？谁能帮帮我，谢谢大家	zzm1124	2019-05-21 05:19
微米和纳米	器件镀膜膜厚问题做相同的器件，蒸镀的金属厚度主要取决于什么？比如InSe,我见到的就有Cr/Au分别为：5/35,5/50,5/70nm。这个蒸镀金属的厚度会影响器件的性能还是其他的什么？	RM美凌格	2019-04-03 01:36
功能材料	二维GIVMCs材料有没有人测过InSe这种材料的折射率还有消光系数	陆彩燕	2018-10-23 02:25
文献求助	gain InSe phototransi J.O.IslandGatecontrolledphotocurrentgenerationmechanismsinhigh-gainInSephototransistorsNanoLett.,2015,15(12),pp7853–7858NanoLett.,2015,15(12),pp7853–7858NanoLett.,2015,15(12)...	liuyanh6	2018-04-15 04:32
第一性原理	vasp之mbj计算求助我用MBJ算二维材料InSe能带，MBJ的过程时这样的，PBE优化，静态，然后INCAR中加入METAGGA=MBJ,LASPH=.T.,静态计算，然后进行MBJ能带计算。但是我发现只有CMBJ值取0的时候结果才像能带图，...	yang132254	2018-04-08 01:39
文献求助	Tuning the Physical and Chemical Properties of 2D InSe with ... ZhaomingFu,?BowenYang,?NaZhang,?ZhanshengLu?DongweiMa?,TuningthePhysicalandChemicalPropertiesof2DInSewithInterstitialBoronDoping:AFirst-PrinciplesStudyJ.Phys.Chem.C...	physiclin	2018-02-08 08:33
文献求助	Impurity states in InSe monolayers doped with group II and ... Li,Xueping;Du,Juan;Xiong,WenqiImpuritystatesinInSemonolayersdopedwithgroupIIandIVelementsJOURNALOFAPPLIEDPHYSICS卷:122期:18文献号:185702出版年:NOV142017JOURNALOFAPPLIEDPHYSICS...	physiclin	2018-01-30 02:15
文献求助	Ultrasensitive tunability of the direct bandgap of 2D InSe ... YangLi1,9,TianmengWang1,9,MengWu2,3,9,TingCao2,3,YanwenChen1,RamanSankar4,5,RajeshKUlaganathan4,5,FangchengChou4,5,ChristianWetzel6,Cheng-YanXu7...	physiclin	2018-01-30 01:33
文献求助	求助文献Progress in Crystal Growth and Characterization期刊 L.GouskovGrowthandcharacterizationofIII–VIlayeredcrystalslikeGaSe,GaTe,InSe,GaSe1-xTexandGaxIn1-xSeProgressinCrystalGrowthandCharacterization1982Volume5,Issue4,Pages323-413...	smile_trip	2018-01-05 01:31
文献求助	IOP文献求助 IOP文献求助PKang1,2,VMichaud-Rioux2,X-HKong2,G-HYu1andHGuo2,3Calculatedcarriermobilityofh-BN/γ-InSe/h-BNvanderWaalsheterostructures2DMaterials20174045014...	y1ding	2018-01-01 12:00
文献求助	老师突然叫我参考这篇文章去写引言，可是学校没买，求救啊 [info2]Calculatedcarriermobilityofh-BN/γ-InSe/h-BNvanderWaalsheterostructuresinfo'.2.'][info3]2DMaterialsinfo'.3.'][info4]2017info'.4.'][info5]045014info'.5....	ioiojo	2017-10-19 06:39
文献求助	Calculated carrier mobility of h-BN/γ-InSe/h-BN van der ... Guo2,3info'.1.'][info2]Calculatedcarriermobilityofh-BN/γ-InSe/h-BNvanderWaalsheterostructuresinfo'.2.'][info3]2DMaterialsinfo'.3.'][info4]2DMaterials,Volume4...	renhuangfuxi	2017-09-14 02:04