87...uniplatform=NZKPT&language=CHS中国知网CNKI求助期刊论文一篇

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ZhenLiu1,2,3,HongZhu1,2,XinYiPan1,2andYongHuang1,2Burn-ineffectinInGaP/GaAsHBTwithintrinsicallyorextrinsicallycarbondopedbaselayerPhysicaScripta2023Phys.Scr.980650092023Phys....

陈卓太赫兹InPHBT器件工艺与设计中国电子科技集团公司电子科学研究院2023年第02期网络出版时间：2023-01-16——2023-02-152023年第02期网络出版时间：2023-01-16——2023-02-1510.27728/d....

徐忠超毫米波亚毫米波InPHBT器件模型研究中国电子科技集团公司电子科学研究院年期：2020年第02期网络出版时间：2020-01-16——2020-02-15年期：2020年第02期网络出版时间：2020-01-16——...

贺莎莎1韩新福2赖喜祥2龚兴厚碳钢CO2腐蚀的缓蚀剂策略及缓蚀行为研究进展表面技术2022（录用定稿）...uniplatform=NZKPT中国知网CNKI

JohnD.CresslerFabricationofSiGeHBTBiCMOSTechnologyCRCPress12December2018Pages264

ASelf-AlignedSacrificialEmitterProcessforHighPerformanceSiGeHBTinBiCMOSQ.Z.Liu1,JamesAdkisson1,JohnBenoit2,RenataCamillo-Castillo1,KevinChan3,PengCheng1,JohnEllis-Monaghan2,...

GhulamBaryLHC能量下重离子碰撞的多πHBT关联LHC能量下重离子碰撞的多πHBT关联LHC能量下重离子碰撞的多πHBT关联LHC能量下重离子碰撞的多πHBT关联

安苗苗RHIC束流扫描能区Au+Au碰撞HBT半径横动量依赖研究中国知网RHIC束流扫描能区Au+Au碰撞HBT半径横动量依赖研究RHIC束流扫描能区Au+Au碰撞HBT半径横动量依赖研究

这个合成步骤有哪些注意的细节，我合不出来，还望指点迷津

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RuiqingZheng;GuohaoZhang;KaiYu;SizhenLi;YaohuaZhengA5.7–6.4GHzGaAsHBTPowerAmplifierwithaGainEnhancedBiasCircuitChineseJournalofElectronics2017Volume26,Issue3,May2017,p.502–...

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Hydroxyphenyl)benzothiazole(HBT)withbenzothiazoliumcyanine(Cy):Theimpactofsubstituentstowardsselectivityandopticalproperties.J.Mater.Chem.B2019不知道10.1039/C9TB01672D

李欧鹏太赫兹InPHBT非线性模型及单片放大器研究电子科技大学20171-300CNKI:CDMD:1.1017.076202中国知网CNKI太赫兹InPHBT非线性模型及单片放大器研究

FengpeiQiabFanZhangaLingnaMoaXiaojieRenaYangangWangcXiLicXingjiangLiudYunZhangaZhaoguangYangaeXiangzhiSongae该文章supportinginformation，AHBT-...

Qi,FP(Qi,Fengpei)[1,2];Zhang,F(Zhang,Fan)[1];Mo,LN(Mo,Lingna)[1];Ren,XJ(Ren,Xiaojie)[1];Wang,YG(Wang,Yangang)[3];Li,X(Li,Xi)[3];Liu,XJ(Liu,Xingjiang)[4];Zhang,Y(Zhang,Yun)[1];...

明天就要答辩昨天value变成了22该想想下一步怎么办了

Kagiwadainfo'.1.'][info2]AdvancedheterogeneousintegrationofInPHBTandCMOSSitechnologiesforhighperformancemixedsignalapplicationsinfo'.2.'][info3]Microwave...

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[info1]林玲info'.1.'][info2]InGaP/GaAs微波HBT器件及VCO电路的研究info'.2.'][info3]万方数据库info'.3.'][info4]2007info'.4.'][info5]1-info'.5.'][info7]...

看截图中带颜色部分内容，我不懂为什么要把1.3kb的基因片段先在克隆载体上克隆，又转到表达载体，最后又插进双元载体，这...表达载体上的HBT;HA;NOS分别都是什么呀，为什么要有这些片段呀，

nmInPHBTintegratedcircuittechnologyforTHzelectronicsinfo'.2.'][info3]ElectronDevicesMeetinginfo'.3.'][info4]2016info'.4.'][info5]无info'.5.'][info6]10.1109/...

本人最近在COMSOL中做GaAsHBT器件的热学仿真，参照的是稳懋的1μmInGaP/GaAsHBT工艺，根据版图可以知道器件的横向尺寸，但是工艺库手册中没有给出具体的纵向尺寸（比如发射极厚度，基极厚度...