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分类 共搜索到 80 个相关话题(最多显示前5000个) 作者 最后发表
文献求助 An Intel 3 Advanced FinFET Platform Technology for High ...
W.Hafezetal.AnIntel3AdvancedFinFETPlatformTechnologyforHighPerformanceComputingandSOCProductApplications2024IEEESymposiumonVLSITechnologyandCircuits(VLSITechnologyandCircuits)...
 鲁旭2012 2025-11-22 09:02
文献求助 Highly Reliable/Manufacturable 4nm FinFET Platform ...
HighlyReliable/Manufacturable4nmFinFETPlatformTechnology(SF4X)forHPCApplicationwithDual-CPP/HP-HDStandardCellsKihwangSon;SeulkiPark;KyunghoonJung;Jun-GyuKim;...
 鲁旭2012 2025-10-18 01:57
文献求助 Review on Logic Styles in CMOS and FinFET Technology
NAReviewonLogicStylesinCMOSandFinFETTechnologyIEEE20241-6doi:10.1109/ICCCNT61001.2024.10726075https://ieeexplore.ieee.org/document/10726075IEEE/IEE数据库
 鲁旭2012 2025-10-08 08:45
文献求助 Investigation of FinFET in terms of Device Design,...
NANAInvestigationofFinFETintermsofDeviceDesign,Performance,anditsChallengesIEEE2025166-171doi:10.1109/DevIC63749.2025.11012504....
 鲁旭2012 2025-10-08 07:54
机械 键德测试测量|低温探针台的用途范围
这些数据有助于优化芯片设计、提高器件质量，并为先进制程(如FinFET、GAA晶体管)的研发提供支持。2.超导材料研究超导材料在临界温度以下会表现出零电阻和完全抗磁性等特殊性能，是未来能源...
 bsby123 2025-07-08 06:26
文献求助 求助
刘昊炎锗硅高迁移率沟道FinFET及FOI新结构器件关键技术研究学术论文2021xxx其它中文期刊
 EPI/SiGe 2024-06-12 01:59
文献求助 Impact Study of Layout-Dependent Effects Toward FinFET ...
HengXuImpactStudyofLayout-DependentEffectsTowardFinFETCombinationalStandardCellOptimizationIEEE2022731-73510.1109/TCSII.2022.3179382...
 逐水阳光 2024-05-02 03:15
绿色求助(高悬赏) 求助文獻一篇:Opportunities in Device Scaling for 3-...FinFET V
求助文獻一篇:OpportunitiesinDeviceScalingfor3-nmNodeandBeyond:FinFETVersusGAA-FETVersusUFETUttamKumarDas;TarunKantiBhattacharyyaOpportunitiesinDeviceScalingfor3-nmNodeandBeyond...
 bluesky3065 2023-12-06 11:22
文献求助 求助学位论文文献一篇，有全文链接
吴涛纳米尺度FinFET漏源寄生电阻电容的建模仿真研究华中科技大学2023202310.27157/d.cnki.ghzku.2021.002304...uniplatform=NZKPT中国知网CNKI
 xcshitao 2023-10-13 05:14
文献求助 求助学位论文文献一篇，有全文链接
姚启德SiGe高迁移率沟道钝化关键技术及其FinFET器件应用研究北方工业大学2022202210.26926/d.cnki.gbfgu.2022.000549...amp;uniplatform=NZKPT中国知网CNKI
 xcshitao 2023-10-11 05:53
绿色求助(高悬赏) 求助学位论文文献一篇，有全文链接
姚启德SiGe高迁移率沟道钝化关键技术及其FinFET器件应用研究北方工业大学2022202210.26926/d.cnki.gbfgu.2022.000549...uniplatform=NZKPT中国知网CNKI
 xcshitao 2023-10-11 03:46
文献求助 求助学位论文文献一篇，有全文链接
王刚氢热处理优化FinFET沟道表面研究南京大学20172017...uniplatform=NZKPT中国知网CNKI
 xcshitao 2023-10-11 02:25
文献求助 求助学位论文文献一篇，有全文链接
秦长亮面向16/14nm节点高性能P-FinFET锗硅源漏集成工艺与器件特性研究中国科学院大学20192019...
 xcshitao 2023-09-05 02:50
文献求助完结子版 求学位论文，有全文连接
王芳FinFET器件建模技术研究电子科技大学2020-06-16——2020-07-152020-06-16——2020-07-15...uniplatform=NZKPT
 xcshitao 2023-03-05 01:10
文献求助完结子版 求学位论文，有全文连接
张健行FINFET器件特性与NBTI效应研究西安电子科技大学2019-01-16——2019-02-152019-01-16——2019-02-15...uniplatform=NZKPT
 xcshitao 2023-03-05 01:48
导师招生 南开大学讲席教授罗锋老师课题组招收2023年新型铁电存储器技术...
成功解决了大规模soc产品、多电源域多管脚产品、rf高频产品、高压产品和finfet等产品的esd可靠性问题。涉及工艺：包括传统的cmos、bcd、soi工艺，以及目前最前沿的3dfinfet工艺（国内尚未...
 nklye 2023-03-02 02:50
硕博家园 FINFET器件的开启电压怎么提取啊，求大佬告知
FINFET器件的开启电压怎么提取啊，求大佬告知！
 未来的猪 2021-09-25 03:37
博后之家 上海交通大学招聘计算纳米电子学/TCAD/电路设计博士后
C）通过TCAD开发不同的器件模型，为新型晶体管比如纳米线晶体管或FinFET设计电路。三、应聘条件1.具有电子工程，应用物理，材料的博士学历。2.具有固态物理器件，半导体物理或者电路设计的...
 WSLI10S 2021-04-23 01:01
博后之家 计算纳米电子学/TCAD/电路设计博士后
C）通过TCAD开发不同的器件模型，为新型晶体管比如纳米线晶体管或FinFET设计电路。三、应聘条件1.具有电子工程，应用物理，材料的博士学历。2.具有固态物理器件，半导体物理或者电路设计的...
 WSLI10S 2021-04-21 04:16
博后之家 计算纳米电子学博士后
C）通过TCAD开发不同的器件模型，为新型晶体管比如纳米线晶体管或FinFET设计电路。岗位要求：电子工程，应用物理，材料的博士有固态物理器件，半导体物理或者电路设计的背景精通于量子计算...
 kainlulow 2021-03-11 11:38
考研 一志愿吉大081000通信与信息工程专业270分求调剂
并且使用Calibre对绘制的SC版图进行了DRCLVS等规则的验证2020年4月青岛青软晶尊在这里接触到了GF22nmfinfet、TSMC16nmFINFET工艺的集成电路版图的规则，了解了FINFET器件的原理，并且使用...
 pualwongchu 2021-02-27 06:14
文献求助 FinFET刻蚀中刻蚀选择比及离子损伤的控制与优化
FinFET刻蚀中刻蚀选择比及离子损伤的控制与优化FinFET刻蚀中刻蚀选择比及离子损伤的控制与优化FinFET刻蚀中刻蚀选择比及离子损伤的控制与优化FinFET刻蚀中刻蚀选择比及离子损伤的控制与优化...
 trz200568 2020-12-07 01:00
文献求助 patent
TakashiAndoFinFETparasiticcapacitancereductionusingairgapPatent20141-12https://www.researchgate.net/publication/302704165_FinFET_parasitic_capacitance_reduction_using_air_gap
 寒水凝 2020-06-23 01:10
文献求助完结子版 The device architecture dilemma for CMOS technologies:...
2009200980-81https://www.researchgate.net/publication/224560227_The_device_architecture_dilemma_for_CMOS_technologies_Opportunities_challenges_of_finFET_over_planar_MOSFET
 寒水凝 2020-06-08 05:00
文献求助 25-nm gate-length FinFET transistor module for 32nm node
Chang-YunChang;Tsung-LinLee;ClementWann;Li-ShyueLai;Hung-MingChenResearch&Development,TaiwanSemiconductorManufacturingCompany,No.8,Li-HsinRd.6,HsinchuSciencePark,Taiwan,R.O.C....
 寒水凝 2020-06-08 03:40
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