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分类	共搜索到 912 个相关话题(最多显示前5000个)	作者	最后发表

硕博家园	电机设计与电力电子变换器优化及AI大模型本地部署，算力工作站... 硅钢片的B-H曲线、永磁体的退磁特性、导线的集肤效应，这些都需要在非线性方程组中迭代求解。...AMD霄龙9275F（24核4.5GHz）+水冷（4.5GHz为全核超频实测优化频率）GPU：RTXA400内存：128GBDDR...	peterfxmc	2026-09-02 08:12
导师招生	2027年吉林大学博士研究生招生-半导体光电材料智能设计与制备... 等国际权威期刊发表论文30余篇，论文总引用超过9200次，H因子为38。学术主页：'...成果要求：以本人为第一作者发表SIC论文1篇以上4....	Li20229	2026-08-29 04:32
材料综合	关于高温真空制备氧化亚硅（SiOx、SiO）的技术交流。升温阶段：400℃-1400℃，大致4h，1400℃-1460℃，大致1h，保温阶段：1460℃，大致30h；...混料时加入SiC或上完料在料表面撒上1cm的SiC或SiO2，控制表面SiO气泡破裂，起到的“固相盔甲”作用，...	tfsn20	2026-07-08 07:12
无机/物化	吉布斯自用能变、平衡常数、活度/分压计算极速方程式解析，告别手动录入在输入框直接输入标准反应式（例如：3SiO+1CO=1SiC+2SiO2），点击解析，系统会自动拆分反应物...4.教科书级的“详细计算过程”展示拒绝只给一个冰冷的最终结果！...	tfsn20	2026-07-05 01:57
博后之家	中国科学院上海硅酸盐研究所独立PI吴桐诚聘博士后2名等国际顶级期刊发表SCI论文200余篇，H因子51，他引次超10000次，入选全球高被引科学家、相关领域优秀学者榜单；主持国家工信部科技创新2030新材料重大专项（产品首席...wutongmail.sic.ac.cn。...	WT_SICCAS	2026-06-09 02:33
文献求助	An Analysis of UIS Failure Mechanism of 4H-SiC MOSFET in ... TianXiaoliAllAuthors581AnAnalysisofUISFailureMechanismof4H-SiCMOSFETinTransitionRegionIEEEXplore2025202537thInternationalSymposiumonPowerSemiconductorDevicesandICs(ISPSD)10....	beefpothot	2026-06-05 09:12
文献求助	求助文献 Mascher,P(Mascher,P)Vacancy-typedetectsinproton-irradiated6H-and4H-SiC:AsystematicstudywithpositronannihilationtechniquesSILICONCARBIDEANDRELATEDMATERIALS-1999PTS,1&21999Volume...	早睡不起	2026-05-26 12:34
文献求助	Micropipe and dislocation density reduction in 6H-SiC and 4H-... I.P.Nikitina,A.S.Tregubova&V.A.DmitrievMicropipeanddislocationdensityreductionin6H-SiCand4H-SiCstructuresgrownbyliquidphaseepitaxyJournalofElectronicMaterialsVolume27,...	daba604	2026-04-25 01:43
材料综合	硅器件薄膜技术：单层与多层薄膜的分层统一模型 gan,sic&...\begin{table}[h]\centering\caption{32组验证数据误差统计（汇总）}\label{tab:summary}\begin{tabular}{lcccc}\toprule验证类别&数据组数&平均相对误差&最大相对误差&最小相对...	lion_how	2026-04-08 05:52
金属	硅器件薄膜技术：单层与多层薄膜的分层统一模型 gan,sic&...\begin{table}[h]\centering\caption{32组验证数据误差统计（汇总）}\label{tab:summary}\begin{tabular}{lcccc}\toprule验证类别&数据组数&平均相对误差&最大相对误差&最小相对...	lion_how	2026-04-08 05:56
考博	吉林大学半导体光电材料智能设计与制备团队招收材料科学申请考核... 等国际权威期刊发表论文30余篇，论文总引用超过8400次，H因子为35。1.研究方向要求：a.共价有机框架材料或薄膜制备b.光电器件制备（如光电...成果要求：以本人为第一作者发表SIC论文1篇以上4....	Li20229	2026-04-06 05:59
考博	吉林大学半导体光电材料智能设计与制备团队招收材料申请考核制... 等国际权威期刊发表论文30余篇，论文总引用超过8300次，H因子为35。1.研究方向要求：a.共价有机框架材料或薄膜制备b.光电器件制备（如光电...成果要求：以本人为第一作者发表SIC论文1篇以上4....	Li20229	2026-03-22 12:07
材料综合	同一数学工具下，光刻机多项局部乃至整机的误差控制 {\text{growth}}(t)=\beta_ch_c(t)+\beta_{\text{oxide}}h_...k)&文献值\\sic热膨胀系数$\alpha$&$4.5\times10^{-6}$k${-1}$&文献值\\ru杨氏模量$e_{\text{ru}}$&447gpa&文献值\\锡碎屑撞击...	lion_how	2026-03-05 11:02
材料综合	EUV多层膜反射镜热致变形的递归应力模型与实时补偿控制注意到算子对应关系$\nabla^2\xrightarrow{\mathcal{H}}-k^2$，$\nabla^4\xrightarrow{\mathcal{H}}k^4$，因此方程右侧变换为$-...得到镜面中心变形约1.11μm（对应SiC基底）至1.60μm（对应熔...	lion_how	2026-03-05 08:14
文献求助	求助文献一篇吴忠举白杨丰田冬龙成洋洋李剑张婷物化提纯法提纯SiC用高纯石墨制品技术研究碳素技术2024炭素技术.2024,43(01)：75-78...uniplatform=NZKPT&language=CHS中国知网CNKI	djxun5896	2026-02-23 11:32
文献求助	求助文献1篇杨静，田冬龙第三代半导体SiC合成用超高纯石墨粉高温纯化装备及工艺研究碳素技术2025炭素技术.2025,44(05)：71-76+89...uniplatform=NZKPT&language=CHS中国知网CNKI	djxun5896	2026-02-23 07:03
文献求助	Kinetic and electronic properties of surface steps on 4H-SiC... YuchenHanKineticandelectronicpropertiesofsurfacestepson4H-SiCepitaxiallayersAppl.Phys.Lett.127,181601(2025)Appl.Phys.Lett.127,181601(2025)Appl.Phys.Lett.127,181601(2025)...	mtrsyt	2026-02-06 10:03
催化	闪蒸焦耳加热技术（FJH）在无机材料合成中有哪些创新应用？通过调制闪蒸电压和闪蒸周期可以调节所得SiC的相，包括3C-SiC和6H-SiC，产量高(90%)4.氮化硼纳米管(BNNT)合成：Chen等人采用氨硼烷(BH3NH3)、三乙酰丙酮铁(Fe(acac)3)、氯化铵(NH4Cl)和硫(S...	高温热冲击焦耳	2026-01-26 02:32
博后之家	武汉大学郭宇铮教授课题组招收博士后等研究人员【先进封装/芯片/... 谷歌学术h-index为43，引用6500余次。担任《武汉大学学报...（3）半导体材料、缺陷、界面、器件、制备工艺、封装工艺的多尺度建模仿真，及其对器件性能影响（围绕gan,sic,diamond,ga2o3等）；...	zhangfrank	2025-12-29 03:36
文献求助	Influence of 4H-SiC substrate miscut on the epitaxy and ... Ch.B.Lioutasa,N.Frangisa,E.K.Polychroniadisa,P.Prystawkobc,M.Leszczynskibc,Th.Altantzisd,G.VanTendeloodInfluenceof4H-SiCsubstratemiscutontheepitaxyandmicrostructureofAlGaN/...	zuowansheng	2025-12-27 01:38
文献求助	Epitaxial growth of 4H-SiC layers on 4H-SiC vicinal off-cut ... KazutoshiKojimaa,AkiraNakajimaa,HisashiYamadab,ShinsukeHaradaaEpitaxialgrowthof4H-SiClayerson4H-SiCvicinaloff-cutsubstratesforGaN/...1November2025,109767Volume198,1November2025,...	zuowansheng	2025-12-27 01:24
文献求助	求期刊论文1篇 YuanHuangElectronic,opticalandmagneticpropertiesofTi-dopedand(Ti,VSi)co-doped4H-SiC:Afirst-principlesstudyPhysicsLettersA2025Volume550，130612...	yy08	2025-12-26 09:50
晶体	求助4H-SiC和6H-SiC的cif文件 ICSD码分别为24170和15325.先感谢各位前辈们的应助	YL8216	2025-12-05 12:46
材料综合	用于骨填充材料的多孔碳化硅表面新型钽涂层钽涂层的表征通过对涂覆前后多孔SiC的质量变化进行加权来计算多孔SiC中的涂层质量。涂层质量通过以下公式计算：其中mr是助教涂层在每单位体积每小时的多孔碳化硅上的沉积速率（g/cm3-h），...	艾因斯	2025-12-04 06:07
文献求助	求助一篇学位论文（有链接）张友治单晶4H-SiC化学机械抛光工艺研究广东工业大学硕士2025广东工业大学硕士2025广东工业大学硕士2025kns.cnki....uniplatform=NZKPT&language=CHS复制上述链接至浏览器中，即可下载。	sailonswm	2025-12-01 03:44