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半导体纳米结构的透射电镜分析：成分及应变分析（英文版）
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Transmission Electron Microscopy of Semiconductor Nanostructures: An Analysis of Composition and Strain State (Springer Tracts in Modern Physics) Author(s): Andreas Rosenauer Year: 2003 Edition: 1 Language: English Pages: 238 简介 The techniques described in this book are aimed at investigation of the properties of crystal with a spatial resolution that provides the view into the unit cell of the crystal. For this purpose, high-energy electrons are preferable, among all the different kinds of radiation that could be used. First, electrons possess a charge, and a beam of electrons can be focused in an inhomogeneous magnetic field, which allows the construction of an electromagnetic focusing lens. Among charged particles, electrons (and also positrons, but these are not useful here) possess the smallest mass, which minimizes the structural damage that they cause in the specimen. In the transmission electron microscope (TEM), electrons are accelerated to a few hundreds of keV. The de Broglie wavelength of the electrons is of the order of only a few picometers, and the point resolution of modern TEMs lies in the 0.1 nm range. In addition to the good spatial resolution, the strong interaction of the electrons with matter allows the interaction volume to be extremely small. One single column of only a few atoms is sufficient to determine the positions and, in principle, also the types of the atoms from the scattered electron wave. The interaction of the electron beam with the specimen provides many channels of information that can be used for compositional analysis. First, the inelastic scattering of electrons can be used for energy-dispersive X-ray analysis (EDX), electron energy loss spectroscopy (EELS) and energy-filtered TEM (EFTEM) [1]. The spatial resolution, of the order of a few nanometers, is generally not sufficient to measure the composition of nanostructures with good accuracy. As an alternative, high-resolution TEM (HRTEM) can be utilized in combination with appropriate image evaluation techniques, where a resolution of the order of 0.2 nm can be achieved. 目录：  |
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