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[交流]
EIS图谱分析
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| 对于EIS的分析我一直有个问题搞不清楚：对于典型的两个时间常数的涂层体系，在Bode图中可以观察到明显的两个相位角峰，可是如何区分这两个峰确定哪个对应的是涂层电容的响应，哪个是双电层电容引起的，我看文献中或书中都是直接说明高频的是某某引起的，而低频的是某某引起的，可是我不明白这是怎么推断出来的，所以我想问问大家，有没有一定的方法来确定，谢谢~~~ |
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小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖
yaxin141(金币+2): 多谢指点，您说的我明白了一部分，剩下那部分得再好好琢磨琢磨，呵呵 2011-06-29 08:11:30
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖
yaxin141(金币+2): 多谢指点，您说的我明白了一部分，剩下那部分得再好好琢磨琢磨，呵呵 2011-06-29 08:11:30
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楼主的问题提的很好。这个文献里大家一般都会倾向于把高频对应于双电层电容，低频对应于膜层或者其他的电容。但是在某些特殊的体系中，我觉得这样区分是有问题的。可能有些体系中，高频对应于膜层的容抗信息较多，低频可能对应于双电层法拉第传荷过程。这个就需要你自己多做实验，多分析才能有个理性的认识。就像多高的频率才叫高频？没有一个绝对的值。 个人的经验认为：先拟合出等效电路图的结果，看看拟合出来的电容值是多少，一般双电层电容在10*-5-10*-6 F/cm2，在某些体系下，双电层会增大1-3个数量级（表面已经发生明显变化），而完好涂层的电容一般是比较低的，可能会到10-8-10-9F/cm2数量级，而粗糙腐蚀产物膜层的电容较大，一般可能在10*-3-10*-4 F/cm2左右。我倾向认为高频应该对应于电容值相对较小的那个原件的贡献较多（因为一般双电层电容在10*-5-10*-6 F/cm2左右，腐蚀产物膜在10*-3-10*-4 F/cm2左右，所以大家都说高频对应于双电层的法拉第传荷过程）。所以有时候当膜层电容跟双电层电容值大小差不多时，就不能完全区分两个容抗，也就是说哪个对应于双电层，另一个对应于膜层，可能在一定频率范围内，这两个原件对同一个容抗弧都有影响作用。EIS测试虽然有一定的理论基础，但个人认为大部分还是一个经验的测试方法。对于成熟的体系可以很好说明机理，但个别体系还是得靠自己的分析了，不同的人有不同的观点的（个人的经验可能更多适用于金属腐蚀方面，对于涂层，电池其他方向，可能存在差别。如对各位造成学术上的误导，本人声明完全不负责任：）。 [ Last edited by daodao1583 on 2011-6-29 at 07:24 ] |
2楼2011-06-29 00:55:24
3楼2011-06-29 01:41:11
5楼2011-06-29 07:05:55
6楼2011-06-29 08:50:08
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hufj_byc4楼
2011-06-29 02:05
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