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半导体晶圆蚀刻、清洗特气&电子级氢氟酸已有2人参与
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晶圆制作流程 1、湿洗(用各种试剂保持硅晶圆表面没有杂质) 2、光刻(用紫外线透过蒙版照射硅晶圆, 被照到的地方就会容易被洗掉, 没被照到的地方就保持原样. 于是就可以在硅晶圆上面刻出想要的图案. 注意, 此时还没有加入杂质, 依然是一个硅晶圆. ) 4.1、干蚀刻(之前用光刻出来的形状有许多其实不是我们需要的，而是为了离子注入而蚀刻的。现在就要用等离子体把他们洗掉，或者是一些第一步光刻先不需要刻出来的结构，这一步进行蚀刻). 4.2、湿蚀刻(进一步洗掉，但是用的是试剂， 所以叫湿蚀刻)—— 以上步骤完成后, 场效应管就已经被做出来啦，但是以上步骤一般都不止做一次, 很可能需要反反复复的做，以达到要求。 6、热处理，其中又分为： 6.1 快速热退火 (就是瞬间把整个片子通过大功率灯啥的照到1200摄氏度以上, 然后慢慢地冷却下来, 为了使得注入的离子能更好的被启动以及热氧化) 6.2 退火 6.3 热氧化 (制造出二氧化硅, 也即场效应管的栅极(gate) ) 7、化学气相淀积(cvd)，进一步精细处理表面的各种物质 8、物理气相淀积 (pvd)，类似，而且可以给敏感部件加coating 9、分子束外延 (mbe) 如果需要长单晶的话就需要。 10、电镀处理 11、化学/机械表面处理 12、晶圆测试 13、晶圆打磨就可以出厂封装了。 干式蚀刻：通常称为反应离子刻蚀或rie，使用通常含有卤素原子的等离子体活化的刻蚀气体，选择性地去除一部分材料。优点在于精度高，安全。缺点是产能低，成本高。u7ueetc-电子工程专辑 湿式蚀刻：使用酸或碱的水溶液来快速除去大量材料或完全去除特定材料。优点是便宜，产能高。缺点则是精度低，危险性高，蚀刻用化学品不宜长期储存。 【我们有半导体集成电路板清洗、蚀刻，氟氮混合气、sf6、cf4、99.999wt%无水氟化氢、up-sss有水氢氟酸等。 目前我们我们的规格指标可以做到行业领先，30年氟行业沉淀，目前有和半导体行业12寸晶圆厂的几个头部公司合作】 [ Last edited by 13013129 on 2021-10-16 at 02:33 ] |
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