| 查看: 9283 | 回复: 22 | |||||||||||
| 【奖励】 本帖被评价16次，作者zdhlover增加金币 12.45 个 | |||||||||||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||||||||||
[资源]
【分享】用VASP进行Partial Charge分析实例
|
|||||||||||
|
[分享] 用VASP进行Partial Charge分析实例 VASP Version : 4.6 在这篇文章中，我将首先介绍Partial Charge的概念，以及如何用VASP具体的计算Partial Charge。首先，所谓的Partial Charge是针对与Total Charge来说的，指的是某个能量范围、某个K点或者某个特定的态所对应的电荷密度。在文献中最常见的是价带顶部，导带底部，表面态或者局域态所对应的Partial Charge。通过分析这些态所对应的Partial Charge，可以得到体系的一些性质，比如局域态具体的是局域在哪个原子上等。我将通过具体的例子说明如何用VASP进行Partial Charge Analysis。 进行Partial Charge Analysis的第一步是进行自洽的计算，得到体系的电子结构。这一步的计算采用通常的INCAR和KPOINTS文件。在自洽计算结束后，我们需要保存WAVECAR文件。（通过在INCAR文件中设置LWAVE=TRUE实现）在这个例子中，假设我们需要计算一个硅纳米线的导带和价带的Partial Charge。硅纳米线的结构如下： 第二步是画出能带结构，以决定你需要画哪条能带的那个K点的态所对应的Partial Charge。关于具体如何用VASP画能带，请参见用VASP4.6计算晶体硅能带实例一文。我们得到硅纳米线的能带结构如下： 画能带时有些小技巧。你可以用一些支持列模块的编辑器，如UltraEdit，将OUTCAR里的各个K点所对应的本征值粘贴到Origin中。这一步完成后，在Origin中做一个矩阵转置，然后将K点坐标贴到第一列，并将其设为X坐标。如此画出来的基本上就是能带图了。在Origin中可以通过设置纵轴范围来更加清楚的区分费米能级附近的各条能带。如上的硅纳米线所对应的能带结构图如下： 决定画哪条能带，或者那些感兴趣的K点之后，有如下几种方法计算不同的Partial Charge。如果你希望计算价带顶端的Partial Charge，则需要首先通过能带结构图确定价带的能带标号。需要注意，进行Partial Charge分析必须要保留有自洽计算的WAVECAR才可以。 第一种Partial Charge分析的INCAR ISTART = 1 job : 0-new 1-cont 2-samecut ICHARG = 1 charge: 1-file 2-atom 10-const LPARD=.TRUE. IBAND= 20 21 22 23 KPUSE= 1 2 3 4 LSEPB=.TRUE. LSEPK=.TRUE. 这样的INCAR给出的是指定能带，指定K点所对应的Partial Charge。分析导带、价带等的Partial Charge特性，通常采用的都是这种模式。 第二种Partial Charge分析的INCAR ISTART = 1 job : 0-new 1-cont 2-samecut ICHARG = 1 charge: 1-file 2-atom 10-const LPARD=.TRUE. EINT = -10.3 -5.1 LSEPB=.FALSE. LSEPK=.FALSE. 这样的INCAR给出的是在[-10.3 -5.1]能量之间的Partial Charge。这种模式适合于分析某个能量区间内的波函数的性质。 第三种Partial Charge分析的INCAR ISTART = 1 job : 0-new 1-cont 2-samecut ICHARG = 1 charge: 1-file 2-atom 10-const LPARD=.TRUE. NBMOD=-3 EINT = -1 LSEPB=.FALSE. LSEPK=.FALSE. 这样的INCAR给出的是从[Ef-1.0 Ef]能量之间的Partial Charge。这种模式最利于分析费米面附近的波函数的性质。 用第一种方法，我们可以得到硅纳米线价带顶部和导带底部的Partial Charge如下： [注意]此文的部分结果将发表于Phys. Rev. B |
回复此楼» 收录本帖的淘贴专辑推荐
 VASP | 第一性原理相关文档 | vasp | Photochemistry |
| VASP相关 | siesta & vasp | 概念教程等 | VASP计算方法 |
| VASP blabla |
» 猜你喜欢
兄弟们帮我看看这两个结构怎么合成
已经有6人回复
-
前同事拿我以前未中的国自然标书申请今年的国自然，现在基金委发来调查函
已经有19人回复
-
東京大学 应用化学专业柳田研究室 招收修士/博士生
已经有3人回复
-
无under review，直接DIP，咋么办。
已经有10人回复
-
估计今年青基又没戏
已经有10人回复
-
特别资助审核状态
已经有8人回复
-
小孩7岁，上一年级，不自信，学习较差
已经有37人回复
-
刚博士毕业，入职普通一本高校
已经有4人回复
-
想问一下有没有需要文章但是没时间带学生的研究生导师。
已经有21人回复
-
家乡二本高校/沿海传统私企，如何抉择？
已经有16人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 求vasp输出文件的分析
已经有5人回复
- 【求助】怎样用vasp计算charge transfer
已经有10人回复
- 关于用origin画Si能带图时特殊点纵轴的添加
已经有10人回复
- vasp 计算 partial charge 时k点选取的问题
已经有19人回复
- VASP计算单胞GdN的能带结构
已经有15人回复
- 三种charge density的区别？
已经有21人回复
- vasp画能带图的疑问
已经有12人回复
- charge的意义 高分求解
已经有5人回复
- vasp计算能带，刚开始就服务器就卡了
已经有20人回复
- 用VASP和用ATK算出来的能带宽度不一样（主要是导带部分）
已经有15人回复
- vasp计算中，如何选择正确的K点
已经有7人回复
- 请问用vasp做charge density difference步骤是什么
已经有14人回复
- 能带计算 vasp
已经有11人回复
- 分享vasp的一些可用的免费资源（入门级）
已经有79人回复
- Bader charge analysis 资料
已经有684人回复
- VASP 算不准氧气键能
已经有16人回复
- 用vasp计算能带结构时报错
已经有5人回复
- 【求助】vasp计算Partial Charge，能带交叉的如何确定IBAND？
已经有13人回复
- 【求助】请教vasp如何使本征值按每条能带输出
已经有18人回复
5楼2009-06-30 16:33:11
7楼2009-09-01 05:10:29
10楼2009-09-05 11:25:05
11楼2010-03-06 15:19:24
15