| 查看: 2513 | 回复: 7 | ||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | ||
[求助]
请问金属基底旋涂光刻胶进行前烘的参数如何设置已有3人参与
|
||
|
导师给小弟安排了个任务是在一个金属基底上溅射一层薄膜，这个金属基底也不是正常基片而是一个异形基底具有悬空结构。 现在基本工艺摸得差不多了，使用光刻溅射再lift-off的方法来做，但是最近小弟遇到一个问题需要各位大佬帮助。 目前是发现采用标准的前烘工艺来做（使用的光刻胶为az-4620，旋涂的厚度为10um左右。使用烘箱50度保温半小时，90度保温2小时—这个是厂家给我们的参考工艺），光刻胶烘得太透了，曝光之后肉眼看没啥效果，显影的时间也远超别人标准基片的工艺，而且显影效果不好，导致小弟现在做了几个月东西还没做出来。 现在的推测就是光刻胶前烘没做好，怀疑是金属导热太快导致光刻胶的烘干比标准的硅片和玻璃片要快很多。 但是现在摸索烘胶温度很耗时，我这个基片由于悬空所以不好用热板，目前都是用的烘箱，按照标准的来做一次前烘耗时很长。所以请问大神们有没有做过8~10微米的光刻胶在金属基底上的烘胶工艺，小弟好找个参考值，烘箱和热板都可以。 |
回复此楼» 猜你喜欢
安徽师范大学 精细化工专硕（名额多），化学，化工，材料学硕
已经有19人回复
-
排 课 软 件
已经有0人回复
-
无机化学论文润色/翻译怎么收费?
已经有211人回复
-
Visio（2016 2019）流 程 图 软 件
已经有0人回复
-
tableau 10.5 数 据 分 拆 软 件
已经有0人回复
-
MOF扫描电镜的图片
已经有1人回复
-
青岛科技大学招聘电催化方向教授、副教授和博士后
已经有5人回复
danghaha
新虫 (文坛精英)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 5551.7
- 散金: 39837
- 红花: 63
- 沙发: 7
- 帖子: 41089
- 在线: 335小时
- 虫号: 4692823
- 注册: 2016-05-15
- 性别: MM
- 专业: 物理无机化学
4楼2020-01-02 21:24:18
20