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mootoo
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表征低深宽比结构问题，光栅结构周期500nm，深度大约60nm，间隔50nm左右。已有5人参与
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EBL加刻蚀做出来的，基底是SIN。现在想要表征具体截面的尺寸，有没有什么好办法，不同参数的样品比较多，用FIB切截面好像可以做，但是太贵了。不知道切片机能不能切？对纳米级别的精度有没有损伤？有没有大佬指教一下。 还有一个想法是直接倾斜SEM样品台一定角度，露出一点侧面，表征侧面的线宽，除以sinN°（N=样品台倾斜角度）这样算出高度，这样可以实现么？求教  1.PNG |
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2楼2019-09-29 16:42:52
mootoo 
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3楼2019-09-30 13:51:07
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7楼2019-10-09 17:29:41
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