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sentaurus Sprocess 仿真BiCMOS器件时掺杂不对。
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NMOS,PMOS,HBT三个器件分别仿真时都正常，放到一起时，N阱P阱的边缘非常粗糙。并且HBT基区与外基区的掺杂浓度从设定的5e18变为了2e18.求解该怎么修改。 这是HBT掺杂的设定。仿真之后并不能达到这个值 sel z= "-0.03 < x && x < -0.01 ? 5e18 : 1e12" name= NewB Silicon sel z= "Boron + NewB" name= Boron store sel name= NewB delete  SENTAURUS-2019-07-17-17-34-32.png |
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