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sunny、小芳

新虫 (小有名气)

[交流] 请教一下，计算不同荷电状态下的跃迁能级时……关于△V的值，如何设置？

如题，计算体系中氧空位缺陷的不同荷电状态，如0/1/2价。文献中表明，不同荷电状态在相同形成能下会相互转化，即跃迁能级：
文献定义如下图。贴出文献出处：Kang J , Wang L W . High Defect Tolerance in Lead Halide Perovskite CsPbBr\r, 3[J]. The Journal of Physical Chemistry Letters, 2017, 8(2):489-493.
请问，在计算跃迁能级时，VBM是指修正后纯体系的价带顶，即EVBM=EF=0吗？
那么△V指的是修正费米能级带来的修正项……？
还是将两种价态的体系VBM对齐带来的修正项？
请大神指点一下，EVBM和△V的值如何确定……
感激不尽~

请教一下，计算不同荷电状态下的跃迁能级时……关于△V的值，如何设置？
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1楼2019-05-10 22:33:25
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sunny、小芳

新虫 (小有名气)
补充文献内的一张图……
请教一下，计算不同荷电状态下的跃迁能级时……关于△V的值，如何设置？-1
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2楼2019-05-10 22:37:49
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zhou2623

新虫 (小有名气)
★
sunny、小芳(金币+1): 谢谢参与
缺陷体系的价带顶采用完美体系的价带顶和一个静电修饰项来表示

发自小木虫Android客户端
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9楼2019-05-12 21:43:07
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)
★
sunny、小芳(金币+1): 谢谢参与
目前有很多种的处理方法和工具。可站内联系我！
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12楼2019-05-15 21:56:01
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Sun_10833楼
2019-05-10 22:41   回复  
sunny、小芳(金币+1): 谢谢参与
， 发自小木虫Android客户端
nono20094楼
2019-05-10 22:48   回复  
sunny、小芳(金币+1): 谢谢参与
。 发自小木虫Android客户端
Biotage5楼
2019-05-11 10:09   回复  
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sz_kebaoyuan6楼
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ckxbear10楼
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xautldhldh11楼
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