7楼: Originally posted by valenhou001 at 2019-05-15 21:51:00
现在有各种的修正方法和工具，以及进行高通量的计算工具了。半导体的点缺陷计算并不是那么难了。

对你的问题的回答：
1. 是的。如你所你理解的。
2.缺陷能级有两种说法的，一种是只看本征值。另一种是看transt ...

10楼: Originally posted by valenhou001 at 2019-05-16 23:20:25
这个是含缺陷体系的本征值，还需要与未含缺陷的perfect晶体的本征值有个对比，以及知道你这个体系的计算输出的Fermi level值是多少。如果完整体系（不含缺陷的体系）的带隙是要大于2.3 eV的话，那第197个本征值对应 ...

12楼: Originally posted by zhou2623 at 2019-05-17 13:02:09
feimi 是2.89，然后请问这个2.3怎么得出的...

11楼: Originally posted by 易笔 at 2019-05-17 11:05:16
侯老师，您所说的辅助工具，能举几个例子吗？...

13楼: Originally posted by valenhou001 at 2019-05-17 12:41:58
用197的本征值减去196的本征值得到的大约2.3.  既然Fermi level是在2.89 ，那第197的本征值，应该是缺陷能级。...

13楼: Originally posted by valenhou001 at 2019-05-17 12:41:58
用197的本征值减去196的本征值得到的大约2.3.  既然Fermi level是在2.89 ，那第197的本征值，应该是缺陷能级。...

15楼: Originally posted by zhou2623 at 2019-05-17 15:21:45
老师您好！请问这个2.3数值怎么理解呢，还有就是如果我参考对应的EIGENVAL，是以静态的为准吗

我理解的是既然197对应一个电子，可能是VBM也可能是对应的缺陷能级，但是198没有电子填充是不是可以断定是CB ...

17楼: Originally posted by valenhou001 at 2019-05-17 18:34:07
我并没有说这个2.3eV是带隙。

你计算的这个缺陷体系是奇数个电子的，最高一个被占据的是197个本征值，它的占有数是单占据的，费米能级被确定在这个第197的本征值上。这个第197个本征值就是缺陷能级了，并且是出 ...