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xujc1983木虫 (著名写手)
苦逼青椒一枚
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[求助]
有关半导体光催化计算的疑问
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刚刚接触光催化计算，向各位虫友请教几个问题： 1. 光催化的计算文献大部分都在讨论VBM和CBM。VBM和CBM计算是需要知道带隙和功函数的，而表面模型才能算功函数。所有对于一种半导体材料，要首先确定哪个面表面能最小，然后以这个表面结构来计算带隙和功函数，进而得到VBM和CBM，这样做对吗？ 很奇怪，有的文献里没有提哪个面，直接就给出了VBM和CBM，请问这个对吗？如何得到块体材料的VBM和CBM？ 2. 一般计算的话，用GGA-PBE泛函，要求精度高的话，就应该用HSE06。还是说，现在基本都是HSE06的结果才好拿出来了？HSE06计算好慢，好费时间啊 3. 光催化计算通常涉及到 BandGap、DOS/PDOS、VBM/CBM、功函数，还有别的吗？ |
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xujc1983
木虫 (著名写手)
苦逼青椒一枚
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2楼2019-03-13 21:48:32
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