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xujc1983

木虫 (著名写手)

苦逼青椒一枚

[求助] 有关半导体光催化计算的疑问

刚刚接触光催化计算,向各位虫友请教几个问题:
1. 光催化的计算文献大部分都在讨论VBM和CBM。VBM和CBM计算是需要知道带隙和功函数的,而表面模型才能算功函数。所有对于一种半导体材料,要首先确定哪个面表面能最小,然后以这个表面结构来计算带隙和功函数,进而得到VBM和CBM,这样做对吗?
很奇怪,有的文献里没有提哪个面,直接就给出了VBM和CBM,请问这个对吗?如何得到块体材料的VBM和CBM?
2. 一般计算的话,用GGA-PBE泛函,要求精度高的话,就应该用HSE06。还是说,现在基本都是HSE06的结果才好拿出来了?HSE06计算好慢,好费时间啊
3. 光催化计算通常涉及到 BandGap、DOS/PDOS、VBM/CBM、功函数,还有别的吗?
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xujc1983

木虫 (著名写手)

苦逼青椒一枚

不要沉啊
2楼2019-03-13 21:48:32
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微笑述说忧伤

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
xujc1983: 金币+25, ★★★很有帮助, 非常感谢,留点看看还没有其他人回答 :-) 2019-03-15 16:55:22
1.  单层材料能计算功函数,但是块体材料好像是没法直接计算的,块体材料的处理一般是通过经验公式,计算马利肯电负性后再求VBM和CBM。
2. 最广为接受的还是HSE06,想发高档次的最好还是用这个,如果条件不允许,可以试试metaGGA,在某些半导体带隙值的计算上还是比较准确的,实在不行,只能试试+U了。
3. 光催化,肯定和光有关,那么材料光学性质肯定是一个衡量指标,其次,载流子迁移率和电子空穴复合速率也是影响光催化效率的重要因素,多找找文献,关于这方面的计算应该是不少的。
3楼2019-03-14 20:21:58
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前田庆次

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
xujc1983: 金币+15, ★★★很有帮助, 请问带边位置如何计算?band edge potential 和 band edge position是一回事吗?另外相比真空能级和标准氢电极的potential如何换算?直接平移? 2019-03-17 22:06:21
刚刚接触光催化计算,向各位虫友请教几个问题:
1. 光催化的计算文献大部分都在讨论VBM和CBM。VBM和CBM计算是需要知道带隙和功函数的,而表面模型才能算功函数。所有对于一种半导体材料,要首先确定哪个面表面能最小,然后以这个表面结构来计算带隙和功函数,进而得到VBM和CBM,这样做对吗?
很奇怪,有的文献里没有提哪个面,直接就给出了VBM和CBM,请问这个对吗?如何得到块体材料的VBM和CBM?
楼上回答我就不回答了

2. 一般计算的话,用GGA-PBE泛函,要求精度高的话,就应该用HSE06。还是说,现在基本都是HSE06的结果才好拿出来了?HSE06计算好慢,好费时间啊
那无疑是得用HSE06,metaGGA有个bug,无法输出介电函数

3. 光催化计算通常涉及到 BandGap、DOS/PDOS、VBM/CBM、功函数,还有别的吗?
楼上说了,我就不说了,band edge相信你肯定知道
长枪一横花飘零,松风追月伴我行。无双人间世如梦,倾奇万世永留名。
4楼2019-03-16 00:33:11
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