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xujc1983木虫 (著名写手)
苦逼青椒一枚
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[求助]
有关半导体光催化计算的疑问
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刚刚接触光催化计算，向各位虫友请教几个问题： 1. 光催化的计算文献大部分都在讨论VBM和CBM。VBM和CBM计算是需要知道带隙和功函数的，而表面模型才能算功函数。所有对于一种半导体材料，要首先确定哪个面表面能最小，然后以这个表面结构来计算带隙和功函数，进而得到VBM和CBM，这样做对吗？ 很奇怪，有的文献里没有提哪个面，直接就给出了VBM和CBM，请问这个对吗？如何得到块体材料的VBM和CBM？ 2. 一般计算的话，用GGA-PBE泛函，要求精度高的话，就应该用HSE06。还是说，现在基本都是HSE06的结果才好拿出来了？HSE06计算好慢，好费时间啊 3. 光催化计算通常涉及到 BandGap、DOS/PDOS、VBM/CBM、功函数，还有别的吗？ |
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xujc1983
木虫 (著名写手)
苦逼青椒一枚
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2楼2019-03-13 21:48:32
微笑述说忧伤
金虫 (小有名气)
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【答案】应助回帖
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xujc1983: 金币+25, ★★★很有帮助, 非常感谢，留点看看还没有其他人回答 :-) 2019-03-15 16:55:22
xujc1983: 金币+25, ★★★很有帮助, 非常感谢，留点看看还没有其他人回答 :-) 2019-03-15 16:55:22
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1. 单层材料能计算功函数，但是块体材料好像是没法直接计算的，块体材料的处理一般是通过经验公式，计算马利肯电负性后再求VBM和CBM。 2. 最广为接受的还是HSE06，想发高档次的最好还是用这个，如果条件不允许，可以试试metaGGA，在某些半导体带隙值的计算上还是比较准确的，实在不行，只能试试+U了。 3. 光催化，肯定和光有关，那么材料光学性质肯定是一个衡量指标，其次，载流子迁移率和电子空穴复合速率也是影响光催化效率的重要因素，多找找文献，关于这方面的计算应该是不少的。 |
3楼2019-03-14 20:21:58
【答案】应助回帖
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xujc1983: 金币+15, ★★★很有帮助, 请问带边位置如何计算？band edge potential 和 band edge position是一回事吗？另外相比真空能级和标准氢电极的potential如何换算？直接平移？ 2019-03-17 22:06:21
xujc1983: 金币+15, ★★★很有帮助, 请问带边位置如何计算？band edge potential 和 band edge position是一回事吗？另外相比真空能级和标准氢电极的potential如何换算？直接平移？ 2019-03-17 22:06:21
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刚刚接触光催化计算，向各位虫友请教几个问题： 1. 光催化的计算文献大部分都在讨论VBM和CBM。VBM和CBM计算是需要知道带隙和功函数的，而表面模型才能算功函数。所有对于一种半导体材料，要首先确定哪个面表面能最小，然后以这个表面结构来计算带隙和功函数，进而得到VBM和CBM，这样做对吗？ 很奇怪，有的文献里没有提哪个面，直接就给出了VBM和CBM，请问这个对吗？如何得到块体材料的VBM和CBM？ 楼上回答我就不回答了 2. 一般计算的话，用GGA-PBE泛函，要求精度高的话，就应该用HSE06。还是说，现在基本都是HSE06的结果才好拿出来了？HSE06计算好慢，好费时间啊 那无疑是得用HSE06,metaGGA有个bug，无法输出介电函数 3. 光催化计算通常涉及到 BandGap、DOS/PDOS、VBM/CBM、功函数，还有别的吗？ 楼上说了，我就不说了，band edge相信你肯定知道 |
4楼2019-03-16 00:33:11
鱼儿Pamela
铁虫 (初入文坛)
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5楼2022-10-23 21:10:56
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