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【调剂】北京石油化工学院2024年16个专业接受调剂
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放牛班毕业

铁虫 (初入文坛)

[交流] 有关晶体三极管共射极偏置的说法并不严格,发射结应该是两个电源共同作用的结果已有1人参与

当年老师讲课时说,共射级接法中  ,VBB为发射结提供正向偏置,VCC为集电结提供反向偏压,使得三极管处于放大状态。很多电子技术书籍上也都有类似说法。


实际上,VCC也为发射结提供正向偏置,VCC中加在集电结上的电压为VCE-VBE,也就是说VCC中有一部分电压降在了发射结上。而且VCC对发射结偏置的贡献贡献更大。 因为有IC从发射结流出通过VCC,而流过vBB的电流是IB,IC=B*IB。

因此严格说,是VCC和VBB共同提供发射结偏置。

有关晶体三极管共射极偏置的说法并不严格,发射结应该是两个电源共同作用的结果
BJT偏置.png
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基极电流

铁杆木虫 (正式写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
你这样说当然不错,但有点钻牛角尖,不必要。
为了详细解释,先澄清一下电压符号,根据你的图,VCC是通过集电极电阻RC加到三极管集电极上的,三极管发射极接地,记三极管集电极与发射极之间电位差是VCE,同样,记三极管基极与发射极之间的电位差为VBE。下面的表述中用VCE、VBE代替你说的VCC、VBB。
实际上,再放大状态下,VCE比VBE大很多,集电结上的反偏电压为VCE-VBE≈VCE,而发射结是直接接VBE的,发射结电压就是VBE没毛病。
至于其他状态,饱和时,VCE跌到0.2~0.3V,集电结反而是正偏了,集电结电压应该为VBE-VCE,而发射结电压还是VBE;截止时,VBE不是通过外加电源(或外电源很小),而是VCE-VCB,集电结反偏又没有大量少子注入,所以集电结截止,集电结PN结阻挡层(空间电荷区)加宽,外加电压即VCE基本都加在集电结上。
当然,VCC与VCE不同,VBB与VBE也不同,但从因果关系上看,“共射级接法中  ,VBB为发射结提供正向偏置,VCC为集电结提供反向偏压,使得三极管处于放大状态。”这句话问题不大。
西湖太小
2楼2019-01-08 09:35:53
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基极电流

铁杆木虫 (正式写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
因基区掺杂浓度低,而且很薄,发射区不发射发射区多子(也就是基区少子,NPN三极管的电子或PNP三极管的空穴)的话,集电结PN结反偏时,基区基本耗尽。所以截止状态时集电结的范围会扩大到整个基区。
西湖太小
3楼2019-01-08 09:46:04
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放牛班毕业

铁虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: originally posted by 基极电流 at 2019-01-08 09:35:53
你这样说当然不错,但有点钻牛角尖,不必要。
为了详细解释,先澄清一下电压符号,根据你的图,vcc是通过集电极电阻rc加到三极管集电极上的,三极管发射极接地,记三极管集电极与发射极之间电位差是vce,同样,记三 ...

我其实十分认同您的观点。集电极电流虽然大,但毕竟受基极电流控制,因此发射结偏置的控制权在基极偏置电路这边,传统说法应该有道理。但是,从电路理论角度,我在主题中的说法也不能说错,因为过去看过的各种电子线路书上都没这么讲过,因此一直以来我也不敢提出来。前些时候看了王志功老师的一本书,发现他在书中公开这么讲,我才发现原来专家也有这种异议,故而我在此提出这个问题的。
4楼2019-01-12 18:29:22
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放牛班毕业

铁虫 (初入文坛)

东南大学王志功老师的讲法。
有关晶体三极管共射极偏置的说法并不严格,发射结应该是两个电源共同作用的结果-1
q1.png

5楼2019-01-12 18:36:20
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放牛班毕业

铁虫 (初入文坛)

东南大学王志功老师的讲法。
有关晶体三极管共射极偏置的说法并不严格,发射结应该是两个电源共同作用的结果-2
q2.png

6楼2019-01-12 18:39:11
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基极电流

铁杆木虫 (正式写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
4楼: Originally posted by 放牛班毕业 at 2019-01-12 18:29:22
我其实十分认同您的观点。集电极电流虽然大,但毕竟受基极电流控制,因此发射结偏置的控制权在基极偏置电路这边,传统说法应该有道理。但是,从电路理论角度,我在主题中的说法也不能说错,因为过去看过的各种 ...

从简单应用的角度,当然可以说集电极电流受基极电流的控制,但从晶体管微观机理看,仅仅是半导体PN结中载流子分布受电场的影响而已,不能说谁控制谁。你所谓的电路理论,是把电路元件抽象成电阻、电容、电感、电压源、电流源这么五种元件的理论,而现在在你的观念中只用了其中的电阻、电压源两个概念。事实上,半导体是一种非线性器件,它的内部电场分布、载流子分布、载流子的输运过程等受到半导体晶格势场、费米能级影响,极为复杂,在电路理论中,只好用受控源(受控关系可以是一个函数或矩阵)来体现。
王老师书中只是说了一个事实,即流过发射结的电流中的大部分电流来自VCC,但因此说VBB对发射结偏置的贡献反而较小是不对的。谁对谁的贡献是一种因果关系,而不仅仅是一种自变量与应变量的函数关系(函数关系只是一种对应关系,自变量与应变量是相对的,也可以反过来看,用反函数这个新的函数来描述这种新的对应关系)。因变化了果必然变化,果变化了因不会变化,要变也是果变了引起其他因素变化,最终引用作为因的那个因素的变化。
西湖太小
7楼2019-01-14 09:51:17
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放牛班毕业

铁虫 (初入文坛)

引用回帖:
7楼: Originally posted by 基极电流 at 2019-01-14 09:51:17
从简单应用的角度,当然可以说集电极电流受基极电流的控制,但从晶体管微观机理看,仅仅是半导体PN结中载流子分布受电场的影响而已,不能说谁控制谁。你所谓的电路理论,是把电路元件抽象成电阻、电容、电感、电压 ...

分析半导体的时候,我最怕电场和电路混在一块讨论,因此我总是把内部物理场转换成电路问题,似乎更直观些。
8楼2019-01-14 18:54:19
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