【调剂】北京石油化工学院2024年16个专业接受调剂
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【有奖交流】积极回复本帖子,参与交流,就有机会分得作者 kin123321 的 10 个金币

kin123321

新虫 (初入文坛)

[交流] 如何提高正性光刻胶侧壁的垂直度和平整度?

正胶显影后侧壁不够垂直而且很多褶子,刻蚀出来的图形很多毛刺,边界上约200nm的毛刺波动。坚膜后侧壁就像塌了一样。。想在侧壁上做一些微结构就很困难。。

如何提高正性光刻胶侧壁的垂直度和平整度?
未坚膜.png


如何提高正性光刻胶侧壁的垂直度和平整度?-1
坚膜后.png
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gyxzby

铜虫 (小有名气)


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2um宽度的线条,首先你要确定你的光刻胶厚度,光刻胶的技术参数,确定你使用的光刻胶能否满足你的曝光要求,
其次是你的曝光设备能力,曝光过程中晶圆与光刻版接触存在间隙的话也不太作出陡直的形貌。
从你发的SEM图看,显影后烘明显光刻胶已经玻璃态了,是不是后烘烤温度时间太高太长了?
显影后有很多褶子的,线条呈现锯齿状有可能曝光时光刻胶与光刻版之间间隙过大导致,或者光刻胶厚度过大,也有一种可能是光刻版脏污导致,特别是用无尘布反复蘸取丙酮擦拭光刻版,这样做光刻版图形边缘会有毛刺状残留,判断方法是不同晶圆同一位置毛刺位置形状相同。
最好你把你的情况详细一些写出来,涂胶程序转速,前烘温度时间,光刻模式,后烘时间温度,显影时间在加上两个光刻显影后和坚膜后的图,光刻胶厚度,型号,光刻机型号,晶圆尺寸是破片还是晶圆?才更好判断一些
7楼2018-11-23 11:30:39
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普通回帖

kin123321

新虫 (初入文坛)

对了,光刻机光源波长是365nm,做线条的话精度在2微米左右
2楼2018-11-07 20:08:59
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shijie6356

铁虫 (著名写手)


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增加下前烘时间和温度

发自小木虫Android客户端
3楼2018-11-15 07:15:41
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hero_hzx

新虫 (初入文坛)


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这是曝光显影的问题吧?所谓的刻蚀后出现的毛刺是指基片还是光刻胶?没理解问题
4楼2018-11-22 08:07:41
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hero_hzx

新虫 (初入文坛)


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想在侧壁上做微结构?是在光刻胶的侧壁吗?还是指基片侧壁?如果是光刻胶的侧壁,有难度吧。
原因可能有以下几点:光刻胶是否有杂质?切面是否对原来的光刻胶结构造成损坏?
你可以试试:
1. 上胶前给基片做HMD.
2. 110度,90秒左右的前烘焙时间.
3.  等待15-20分钟后再进行曝光.(做到完全曝光,或者尝试不断增加曝光剂量)
4. 选择无金属离子的显影剂,或者对比度高的 (做到完全显影)
5楼2018-11-22 08:17:03
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hero_hzx

新虫 (初入文坛)


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另外,图看不太清,折皱是基地材料对光反射在光刻胶侧壁出现的干涉的现象。可以考虑换基地材料或者增加抗反射涂层。
6楼2018-11-22 08:23:12
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Stephen06

新虫 (小有名气)


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这个东西不是改善一个环节可以改善的  人机料法环检测

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8楼2018-12-02 09:26:36
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shijie6356

铁虫 (著名写手)

9楼2019-03-11 20:06:10
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ouyang290110

禁虫 (小有名气)


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10楼2019-05-19 16:20:04
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