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眼外的我木虫 (正式写手)
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请问优化晶格参数一般是怎么做的？
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就是用QE计算，验证完一些计算参数的收敛性后，然后想要优化晶格参数，那么究竟是用哪种方式找到最合理的晶胞常数呢？ 1.比如对面心立方的NiO，晶胞参数只有一个取a，然后让a取一系列离散的点，比较scf后的总能，最后用多项式拟合找能量最低的值？ 2.直接用vc-relax，也会得到一个结果。 现在的问题是，第一种方法没有考虑压强，第二种方法考虑了压强，默认压强为0kbar；比如对NiO，用GGA的pbe，第一种方法得到的晶格常数感觉和实验值稍偏大，但和文献里的计算结果较吻合，第二种方法偏小，并且第二种方法非常依赖起始晶胞参数的值，不同的初始值，结果会有变化。特别是对SnS这种二维结构的参数优化，所以应该采用哪种方法合适点？ |
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