【答案】应助回帖

11楼2018-08-13 22:24:50

valenhou001

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【答案】应助回帖

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徽秃wy: 金币+80, ★有帮助 2018-08-17 10:20:24

首先，采用ISIF=4用来优化二维体系材料，就是不合适的。优化出来的结构，可能导致真空的厚度并不是最初设置的20.00。特别是如果加Li吸附和未加Li吸附的两个体系都采用了isif=4来进行结构优化的话，那这两个体系的真空层厚度会不一样。这会对计算结果带来一定的偏差。

第2点：前面有人已指出了，文献里参考的是单个Li原子的能量。考虑到bcc Li的结合能在-1.6 eV （E（块体，单位eV/atom）-E(单个原子能量））左右，把你目前得到的值，再加上这个结合能的值。得到的值与文献大致相符合的。

以块体Li的能量为参考的吸附能记为： delta E_b
以单个Li原子能量为参考的吸附能记为： delta E_a
bcc Li的结合能记为: delta E_c =  E（块体，单位为eV/atom）-E(单个原子能量），等式右边的E都是DFT程序直接输出的ETOT。

delta E_b  - delta E_a = - delta E_c
delta E_a = delta E_b + delta E_c

12楼2018-08-14 07:03:05

徽秃wy

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引用回帖:

12楼: Originally posted by valenhou001 at 2018-08-14 07:03:05
首先，采用ISIF=4用来优化二维体系材料，就是不合适的。优化出来的结构，可能导致真空的厚度并不是最初设置的20.00。特别是如果加Li吸附和未加Li吸附的两个体系都采用了isif=4来进行结构优化的话，那这两个体系的真 ...

哇，侯老师来指导了，感谢侯老师的解答，学生大概明白了
这里学生还有两个问题。想请教下您
一：我ISIF采用4，是因为我看到二维材料优化ISIF可以选择3（进行编译固定C轴），但是这种方法适用于正交体系，我的材料不是这种，我就使用了ISIF=4，优化前后，C轴变化在1%左右，不知道适不适用。
二：单层MOS2 吸附，需要加偶极矩吗？

13楼2018-08-17 10:37:52

valenhou001

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【答案】应助回帖

引用回帖:

13楼: Originally posted by 徽秃wy at 2018-08-17 11:37:52
哇，侯老师来指导了，感谢侯老师的解答，学生大概明白了
这里学生还有两个问题。想请教下您
一：我ISIF采用4，是因为我看到二维材料优化ISIF可以选择3（进行编译固定C轴），但是这种方法适用于正交体系，我的材料 ...

1. 你可检查一下，将优化后的c改为优化前的初始值，原子坐标位置（卡迪尔坐标值）和晶格常数为优化之后的值，这样计算一下它的能量，看与isif=4优化得到的结构得到的能量有多大差别。如果差别很小的话（比如1meV的量级左右），可以忽略。

单层的MoS2，只有一个晶格常数变量a,通过5到6个不同的a值，进行固定c(真空层厚度)，ISIF=2的优化，得到E~a的曲线，找出了能量最低的a。

2. 如果是较小的超原胞上考虑吸附，需考虑加偶极矩修正。

14楼2018-08-18 09:32:38

前田庆次

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仔细看看文献的方法，加修正没。我觉得能够得到 -1.5 eV 的吸附能，肯定加修正了
加修正恐怕也很难搞到-1.5eV
Li吸附加不加修正，个人感觉问题其实不大，离子键还算比较强

长枪一横花飘零，松风追月伴我行。无双人间世如梦，倾奇万世永留名。

15楼2018-08-19 10:23:59

123dingyc

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吸附能用化学势是错误的吧，应该用金属li的

16楼2018-08-20 13:23:05

?霸天下

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这个锂是放在真空晶包中计算得到的单个锂的能量，吸附位置有几个吧，你确实是这个位置吸附锂嘛？

发自小木虫Android客户端

17楼2018-08-20 17:05:23