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568977122铁杆木虫 (著名写手)
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[求助]
射频制备氮掺杂氧化铪铁电性能求助
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最近在用磁控溅射射频在P型硅上制备氮掺杂氧化铪，并研究其铁电性能。 具体是参考的一篇日本文献，他们的条件是： 靶材：氧化铪 p型Ge做基底； 没说基片温度是常温还是加热 溅射气压：0.12Pa 溅射功率：80W （Ar+N2）流量：20sccm,氮气比例从0.25%-50% N-HfO2厚度：28nm 溅射完毕后，在600度氮气中退火30秒，然后镀上金电极，测试铁电性能，结果如图所示，性能较好。 由于仪器不一样我的条件是： 靶材：氧化铪 基片温度：常温 p型Si做基底； 溅射气压：1Pa 溅射功率：100W （Ar+N2）流量：60sccm,氮气比例从2%(相比该比例最好) N-HfO2厚度：28nm 溅射完毕后，在600度氩气中退火60秒，然后镀上金电极，测试铁电性能，结果如图所示，性能非常差。 开始我认为是常温下溅射的都是非晶的导致铁电性能很差。 后来我对基片分别进行了250度、300度的加热，结果如下，仍然没有提升，极化依然很小，求大神解惑！  文献铁电数据.png  我自己常温生长的氮掺杂氧化铪的铁电数据.png  我自己在250度射频生长的氮掺杂氧化铪的铁电数据.png |
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