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zhengxiaoz木虫 (正式写手)
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审稿求助： 1.According to the proposed charge transfer diagram, holes will be migrated from CN to P-GQDs upon light irradiation. If this is true, P-GQDs will serve as oxidation sites. Considering that the optimum loading of P-GQDs is just 1%, how could the small amount of P-GQDs play an effective role in the photo-oxidation reaction? 量子点敏化C3N4作为光催化剂，电子转移到CN的导带，空穴在GQDs。我的量子点含量只有1%，审稿人问少量的量子点怎么起作用。怎么回答啊，急急急  2.The average thickness of P-GQD is 1.5 ~ 2.0 nm and the average lateral size is 2.2 nm. We seem the aspect ratio of the P-GQD is not satisfied to be considered as a 2D structure. Since P=O groups are attached at the edges of the GQD, it does not seem the reason for this point is not the effect of the functional groups. 该怎么说GQDs是二维结构。 |
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