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【调剂】北京石油化工学院2024年16个专业接受调剂
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朱全喜

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【答案】应助回帖

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9楼: Originally posted by luomin_zyj at 2016-07-29 12:02:08
谢谢朱老师，我的意思是既然表面的电势在不同的地方有高有低（有正有负），围绕那个某个轴上波动。对应到表面的电子密度 也应该有正有负，但我处理后的电子密度 全部为正？跟我第一个图完全不同，这里是不是哪里出 ...

还有你的三维文件是指用VESTA处理后的差分电荷文件吧，如果能够保存的话你把这个文件另存成CHARGE_DIFFERENCE，然后再用VTOT处理就OK了。因为我平时是直接对计算的两个电荷文件用脚本进行处理得到CHARGE_DIFFERENCE文件，所以可能就没有关注到你的疑惑。

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11楼2016-07-29 12:25:14
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luomin_zyj

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朱老师，vesta可以做差分电荷密度，但无法保存为CHGCAR的格式，我网上找了个 chgdiff.pl 的脚本，在Window 和 linux 下运行没有任何结果，输入文件 CHGCAR CHGCAR2 都存在，但没有结果？ 这个.pl文件在linux下,是不是直接放到CHGCAR的目录下运行？ 你有没有什么其他联系方式如QQ，方便请教，我的QQ71283576，麻烦了
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12楼2016-07-29 14:14:50
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luomin_zyj

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10楼: Originally posted by 朱全喜 at 2016-07-29 12:18:17
你再仔细看看你开始放的那张图的下面注释行写的是什么:平均差分电子密度。那就是我说的对差分电荷密度用VTOT文件处理后得到的，它里面肯定有正负号代表的是相应的电子聚集和消耗。而直接处理电荷文件，因为大多位置 ...

朱老师，我下午研究了一下在Window下运行 chgdiff.pl ,已经可以了， 我有3个CHGCAR需要做差分：CHGCAR1-CHGCAR2-CHGCAR3, 我分两步 CHGCAR1-CHGCAR2=CHGCAR_DIFF, 再CHGCAR_DIFF--CHGCAR3=CHGCAR(1-2-3), 在用VOTV处理得到 沿着某个轴方向的  平均电子密度      这个结果跟我分别用VOTV处理 CHGCAR1 CHGCAR2 CHGCAR3 , 再将3个结果在 origin 里直接做差的结果 完全一样，应该可以这样处理， 但还是没有能够得到第一幅类似的上下波动的结果？这应该何解，不明白
求沿着某个轴向的平均电子密度，vasp
2016-7-29 18-31-55.gif
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13楼2016-07-29 17:44:11
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朱全喜

新虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

引用回帖:
13楼: Originally posted by luomin_zyj at 2016-07-29 17:44:11
朱老师，我下午研究了一下在Window下运行 chgdiff.pl ,已经可以了， 我有3个CHGCAR需要做差分：CHGCAR1-CHGCAR2-CHGCAR3, 我分两步 CHGCAR1-CHGCAR2=CHGCAR_DIFF, 再CHGCAR_DIFF--CHGCAR3=CHGCAR(1-2-3), 在用VOTV ...

你这有三个CHARCAR文件要做差分电荷密度是个什么鬼，你可以具体解释下那三个文件分别指什么体系得出的吗？这样方便后续具体解答。再一个，你给出的那个初始图应该是只做两个CHARGCAR文件差分得到的，这也是我们经常在文章里面看到的分析图，因为它是有一定物理意义的:比如表面吸附，差分电荷密度图可以给出吸附物和基底表面电荷重新分配情况，即由于成键哪些区域电子会聚集而另外一些区域电子会消耗；还能通过进一步积分处理得到偶极距变化值和相应的功函数变化。那么问题来了，你用三个CHARGCAR文件做差分是为了得到什么呢？

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14楼2016-07-29 18:05:46
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luomin_zyj

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14楼: Originally posted by 朱全喜 at 2016-07-29 18:05:46
你这有三个CHARCAR文件要做差分电荷密度是个什么鬼，你可以具体解释下那三个文件分别指什么体系得出的吗？这样方便后续具体解答。再一个，你给出的那个初始图应该是只做两个CHARGCAR文件差分得到的，这也是我们经常 ...

我目前做的两种材料，在Y方向建构，上面是一种材料，下面是一种材料，在界面的出掺入一些过渡金属，看看过渡金属对界面势垒的影响，做差分电荷密度是看看 界面出掺杂元素引起的 电荷密度的变化情况（如图示）
求沿着某个轴向的平均电子密度，vasp-1
chg.gif
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15楼2016-07-29 18:40:23
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朱全喜

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【答案】应助回帖

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15楼: Originally posted by luomin_zyj at 2016-07-29 18:40:23
我目前做的两种材料，在Y方向建构，上面是一种材料，下面是一种材料，在界面的出掺入一些过渡金属，看看过渡金属对界面势垒的影响，做差分电荷密度是看看 界面出掺杂元素引起的 电荷密度的变化情况（如图示）

chg ...

因为三个CHARGCAR没法说清楚电荷具体怎么转移，你看这样处理能不能达到你的想象:把参杂元素纳入A（或B体系）作为一个整体的基底面，而另一个体系B（或A）作为吸附物，如此来看就只有两个CHARGCAR，然后做出差分电荷密度图；接下来做出没有参杂元素的AB两个体系的差分电荷密度图，前后两个图比较看看能不能发现些什么有趣的东西。

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16楼2016-07-29 19:09:34
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luomin_zyj

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16楼: Originally posted by 朱全喜 at 2016-07-29 19:09:34
因为三个CHARGCAR没法说清楚电荷具体怎么转移，你看这样处理能不能达到你的想象:把参杂元素纳入A（或B体系）作为一个整体的基底面，而另一个体系B（或A）作为吸附物，如此来看就只有两个CHARGCAR，然后做出差分电荷 ...

目前是配合实验，模型按照实验样品结构建的，好戏像看成吸附不太可能，非常感谢你
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17楼2016-07-29 19:58:48
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朱全喜

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【答案】应助回帖

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17楼: Originally posted by luomin_zyj at 2016-07-29 19:58:48
目前是配合实验，模型按照实验样品结构建的，好戏像看成吸附不太可能，非常感谢你...

我说的吸附物只是打个比方，多层吸附不就相当于形成AB界面嘛。而且你在AB界面处如何实现参杂，制备过程怎样实现？难道不是先对A进行参杂然后再把B沉积上去？

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18楼2016-07-29 21:31:40
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朱全喜

新虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

引用回帖:
17楼: Originally posted by luomin_zyj at 2016-07-29 19:58:48
目前是配合实验，模型按照实验样品结构建的，好戏像看成吸附不太可能，非常感谢你...

当然我这里说的参杂是对A或B进行表面参杂而不是体相参杂

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19楼2016-07-29 21:40:26
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luomin_zyj

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19楼: Originally posted by 朱全喜 at 2016-07-29 21:40:26
当然我这里说的参杂是对A或B进行表面参杂而不是体相参杂
...

不大一样，我们这里实验室生长二维材料，在生长的同时掺入杂质，最后形成一个特殊的界面
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20楼2016-07-29 22:59:34
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