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vasp计算表面材料dos间隙变没了已有5人参与
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在计算ZnIn2S4表面的过程中遇到的问题，求大神解答。块状ZnIn2S4切001表面，设置真空层15A,建了一个2*2的超胞，INCAR设置如下，结构优化后，做静态自洽，得到的DOS图没有带隙，从半导体变成导体性质了，但是实验结果还是半导体，尝试过改变EDIFFG=0.01;改过ISMEAR=-5;优化的时候，固定底层原子和不固定底层原子都试过，结果还是一样，不知道怎么解决。 `BK@X3CX6Z$P0LX`4H]EM3U.png  96_II(86Q1WKDXB98OUYXKT.png |
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