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because...

新虫 (小有名气)

[求助] vasp计算表面材料dos间隙变没了已有5人参与

在计算ZnIn2S4表面的过程中遇到的问题,求大神解答。块状ZnIn2S4切001表面,设置真空层15A,建了一个2*2的超胞,INCAR设置如下,结构优化后,做静态自洽,得到的DOS图没有带隙,从半导体变成导体性质了,但是实验结果还是半导体,尝试过改变EDIFFG=0.01;改过ISMEAR=-5;优化的时候,固定底层原子和不固定底层原子都试过,结果还是一样,不知道怎么解决。

vasp计算表面材料dos间隙变没了
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vasp计算表面材料dos间隙变没了-1
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新虫 (小有名气)

because...: 回帖置顶 2016-07-21 20:43:13
有没有大神给点意见啊。。不胜感激
7楼2016-07-21 19:48:49
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普通回帖

mecarlos

禁虫 (小有名气)

感谢参与,应助指数 +1
本帖内容被屏蔽

2楼2016-07-20 16:32:43
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because...

新虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by mecarlos at 2016-07-20 16:32:43
用的什么赝势?PBE低估带隙很正常

用的PBE这是别人文章中做的
vasp计算表面材料dos间隙变没了-2
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vasp计算表面材料dos间隙变没了-3
A7BB.tmp.jpg

3楼2016-07-20 19:22:26
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because...

新虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by mecarlos at 2016-07-20 16:32:43
用的什么赝势?PBE低估带隙很正常

低估是正常的,不应该变没吧?
4楼2016-07-20 19:23:28
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蛋蛋小童鞋

版主 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
是不是人家加u了。可以好好了解一下
愿不负最苦的时光
5楼2016-07-20 19:23:52
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because...

新虫 (小有名气)

because...: 回帖置顶 2016-07-21 19:47:54
because...: 取消置顶 2016-07-21 20:43:02
引用回帖:
5楼: Originally posted by 蛋蛋小童鞋 at 2016-07-20 19:23:52
是不是人家加u了。可以好好了解一下

加U的话文章一般会说明的,而且这里面也不需要加U吧?Zn的d电子是满的
6楼2016-07-20 19:55:57
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wxx1987

新虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
你试试PW91,以我的经验有写体系PW91效果会好些,还有可能需要表面结构ISIF=3弛豫一下~
材料计算模拟 多尺度计算模拟 计算培训 资源租赁
8楼2016-07-22 13:54:24
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新虫 (小有名气)

引用回帖:
8楼: Originally posted by wxx1987 at 2016-07-22 13:54:24
你试试PW91,以我的经验有写体系PW91效果会好些,还有可能需要表面结构ISIF=3弛豫一下~

你好,表面弛豫设置ISIF=3优化的话,真空层不是会弛豫没嘛?我看资料说算表面的时候ISIF只能设置成2,不知道是不是?PW91我先去试试
9楼2016-07-22 16:11:58
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1992lxm

金虫 (小有名气)

引用回帖:
9楼: Originally posted by because... at 2016-07-22 16:11:58
你好,表面弛豫设置ISIF=3优化的话,真空层不是会弛豫没嘛?我看资料说算表面的时候ISIF只能设置成2,不知道是不是?PW91我先去试试...

我想问一下楼主问题解决了么?
10楼2017-03-20 14:36:04
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