使用202负胶后镀Cr的lift-off工艺中Cr两侧长墙大家有遇到过吗？有解决方法吗？
在硅片基底上用正胶+lor（1um）做的光刻，线宽10um，然后镀100nm的Cr剥离，用SEM观测发现所镀Cr两边的侧壁长出了一道墙，像是延光刻胶长出来，不知道有没有解决方法。
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这个不是很普通的剥离工艺么？还至于用到双层胶？
大线宽可以用负胶解决，小线宽只能用这种工艺。大线宽有这类问题现在小线宽也不敢做了
，
好吧，你想要小线宽是多小？10u随便做啊
10um线宽已经够大的了，直接单层正胶就可以了