我公司经过五年的不懈努力，在国内首次突破了SiC mosfet的技术瓶颈，成功研发出具有完全自主知识产权的SiC mosfet，单体性能指标达到了世界先进水平。在突破Sic芯片技术的基础上，我们又完成了SiC模块封装和Sic电机控制器等终端应用产品开发，在国内首次完成了从SiC mosfet到Sic模块再到Sic电机控制器的全流程集成开发。我们开发的SiC系列电机控制器，具有高功率密度、体积小、重量轻、高工作温度、控制效率高等特点。其综合性能在理论上达到了国际同类产品性能，部分单项性能指标处于世界领先水平。为了进一步系统验证Sic电机控制器的功能性能，我们与北京某985高校合作开展了测试验证工作。测试结果如下：
1．SiC电机控制器比IGBT电机控制器体积减少40%以上，重量减少50%以上，功率密度提高50%以上。
2．分别对两台控制器在相同工况下（10KHZ/350V）测试发现，在低速区小扭矩区域Sic电机控制器的控制器效率远比IGBT电机控制器的效率高近10%，优势非常明显；随着转速升高，SiC电机控制器效率比IGBT电机控制器效率高2%～3%。
3．通过对比发现，效率在90％以上的控制点Sic控制器明显要比IGBT控制器多。
综上，Sic控制器无论在体积、重量、功率密度、效率上都比IGBT控制器更具优势，代表了未来电机控制器的发展方向，SiC控制器也将成为未来的主流产品。
如果有Sic控制器方面的需求，可以与我联系。
李先生：13683577439 返回小木虫查看更多