重复文献数据练手，计算GaN中Ga单空位形成能。   Ga空位可能有0，-1，-2，-3等价态。 利用公式1（如下计算形成能）。
      
      INCAR如下图所示，此为结构优化步骤。 利用NELECT改变电子数量 ，IDIPOL、EPSILON修正。K取G点1 1 1。POTCAR考虑了d层电子。

      错误描述：
            （1）带电缺陷态，若去掉蓝色的三行命令（NELECT ，IDIPOL ， EPSILON），计算的形成能为负值，但是形成能之间相差过大（5~10eV左右），明显不正确；
            （2）若加上蓝色三行命令，形成能为正值。

      不知道是什么原因导致，是结构优化过程不合理？还是修正命令出错？       若能指教，不胜感激。


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